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美光開(kāi)始向客戶提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬
- 美光本周宣布，該公司已開(kāi)始向主要客戶運(yùn)送其下一代 HBM4 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內(nèi)存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術(shù)制造的 24GB DRAM 器件，以及臺(tái)積電使用其 12FFC+（2nm 級(jí)）或 N5（5nm 級(jí)）邏輯工藝技術(shù)生產(chǎn)的邏輯基礎(chǔ)芯片。美光最新一代
- 關(guān)鍵字： 美光 HBM4 內(nèi)存樣品
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