存儲(chǔ)技術(shù) 文章進(jìn)入存儲(chǔ)技術(shù)技術(shù)社區(qū)

HBM4標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

據(jù)報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布，正式推出HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設(shè)定了更高的帶寬性能標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方面進(jìn)行了改進(jìn)。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達(dá)8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達(dá) 64GB。此外，HBM4將每個(gè)堆疊的獨(dú)立通道數(shù)加倍，從16個(gè)通道（
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱(chēng)，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿(mǎn)足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
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我國(guó)高校團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)技術(shù)突破！

近日，復(fù)旦大學(xué)和清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)在存儲(chǔ)芯片上創(chuàng)下新突破。復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研發(fā)超快閃存集成工藝，可實(shí)現(xiàn)20納秒超快編程、10年非易失；清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)則提出一種基于磁振子的新型邏輯器件，有望重構(gòu)邏輯存儲(chǔ)器。復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研發(fā)超快閃存集成工藝，突破存儲(chǔ)速度極限非易失性存儲(chǔ)器是指即使在存儲(chǔ)器芯片的電源被關(guān)閉時(shí)，也可以保存數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器包括閃存（Flash Memory）、只讀存儲(chǔ)器（ROM），以及一些新技術(shù)如磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）、鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FeRAM）、相變存儲(chǔ)器（PCM）等。其中閃存是目前
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業(yè)界預(yù)測(cè)：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

當(dāng)前低功耗問(wèn)題仍是業(yè)界關(guān)心重點(diǎn)。根據(jù)國(guó)際能源署(IEA)最近報(bào)告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請(qǐng)求消耗2.9Wh，每天進(jìn)行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(shí)(TWh)的電力。從預(yù)計(jì)銷(xiāo)售的AI服務(wù)器需求來(lái)看，到2026年，AI行業(yè)可能會(huì)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術(shù)官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務(wù)還轉(zhuǎn)向移動(dòng)和PC設(shè)備，這導(dǎo)致功耗激增，因此這是一個(gè)關(guān)鍵的討論話題。因應(yīng)市場(chǎng)需求，目前業(yè)界正積極致力于
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中國(guó)科學(xué)家研究鐵電隧道結(jié)存儲(chǔ)器獲新進(jìn)展

近日，中國(guó)科學(xué)家鐵電隧道結(jié)存儲(chǔ)器研發(fā)取得了新的進(jìn)展。據(jù)中國(guó)科學(xué)院金屬研究所官網(wǎng)介紹，在最新完成的研究中，其研究團(tuán)隊(duì)提出利用緩沖層定量調(diào)控薄膜應(yīng)變，延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強(qiáng)鐵電極化強(qiáng)度的策略，成功揭示極化強(qiáng)度同鐵電隧道結(jié)存儲(chǔ)器隧穿電阻之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，并實(shí)現(xiàn)巨大隧穿電致電阻(或器件開(kāi)關(guān)比)。鐵電隧道結(jié)具有簡(jiǎn)潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結(jié)構(gòu)。利用鐵電極化翻轉(zhuǎn)調(diào)控量子隧穿效應(yīng)獲得不同的電阻態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，具有高速讀寫(xiě)、低功耗和高存儲(chǔ)容量等優(yōu)點(diǎn)，屬于下一代信息存儲(chǔ)技術(shù)，近年來(lái)在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域備受關(guān)注
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北京大學(xué)公開(kāi)存儲(chǔ)器專(zhuān)利

存儲(chǔ)器是電子信息處理系統(tǒng)中不可或缺的組成部分。在過(guò)去，依靠CMOS工藝的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)器的性能得以不斷提高。但近年來(lái)，一方面，尺寸微縮導(dǎo)致的晶體管漏電問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重，在增大存儲(chǔ)器功耗的同時(shí)，惡化了存儲(chǔ)單元的保持特性，存儲(chǔ)器的發(fā)展遇到較為明顯的瓶頸；另一方面，人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展又對(duì)存儲(chǔ)器的容量速度以及功耗等性能指標(biāo)提出了更高的要求。在這樣的背景下，由于嵌入式鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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不負(fù)期待：與美光相約2023進(jìn)博會(huì)

不負(fù)期待?與美光相約2023進(jìn)博會(huì)2023年11月5日，第六屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)正式開(kāi)幕，吸引了來(lái)自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進(jìn)博會(huì)，為業(yè)界帶來(lái)了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動(dòng)人工智能和5G應(yīng)用進(jìn)步所付出的不懈努力。深入存儲(chǔ)四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國(guó)”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。展臺(tái)劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)與智能邊緣領(lǐng)域、移動(dòng)設(shè)備以及PC客戶(hù)端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開(kāi)啟存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新浪潮

如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。隨著各國(guó)對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視，世界對(duì)存儲(chǔ)容量和性能的要求越來(lái)越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計(jì)算、邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實(shí)時(shí)大數(shù)據(jù)更新，以及移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)帶來(lái)智能化沉浸式體驗(yàn)。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲(chǔ)應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu)，高效優(yōu)化存儲(chǔ)顆粒的使用空間和密度美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu)，通過(guò)增加NAN
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三星攜手西部數(shù)據(jù)，推動(dòng)下一代存儲(chǔ)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化

雙方將推動(dòng)分區(qū)存儲(chǔ)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化，共同致力于開(kāi)發(fā)和推廣硬件規(guī)范，以及軟件應(yīng)用模型，以建立一個(gè)強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)三星和西部數(shù)據(jù)（Nasdaq: WDC）于今日宣布，雙方已簽署一份獨(dú)特的合作諒解備忘錄（MOU），以實(shí)現(xiàn)下一代數(shù)據(jù)放置、處理和結(jié)構(gòu)（D2PF）存儲(chǔ)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并推動(dòng)其廣泛采用。首先，雙方將致力于為分區(qū)存儲(chǔ)解決方案打造一個(gè)充滿(mǎn)活力的生態(tài)系統(tǒng)。這樣的舉措能讓行業(yè)催生出更多的應(yīng)用，為客戶(hù)創(chuàng)造更大的價(jià)值。圖片上的內(nèi)容：data taken as-is 按照原樣獲取數(shù)據(jù) / serialized data 序
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一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無(wú)法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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盤(pán)點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù) 你都了解嗎

由于近年來(lái)C/S計(jì)算模型的廣泛采用，服務(wù)器都帶有自己的存儲(chǔ)系統(tǒng)，信息分散到各個(gè)服務(wù)器上，形成了所謂的“信息孤島”，不利于信息整合與數(shù)據(jù)共享。而網(wǎng)
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面對(duì)挑戰(zhàn)，東芝聚焦這四大熱門(mén)領(lǐng)域

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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
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三大熱門(mén)存儲(chǔ)技術(shù)帶你飛

以下所列三項(xiàng)技術(shù)趨于實(shí)用性，我們盡可能集中在了足夠成熟的熱門(mén)技術(shù)上。復(fù)制數(shù)據(jù)管理管理來(lái)自多種工具同一數(shù)據(jù)的繁多物理副本依然費(fèi)用昂貴，
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視頻監(jiān)控存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)化史

除了上帝，誰(shuí)都離不開(kāi)數(shù)據(jù)，所以，大數(shù)據(jù)時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。同時(shí)，隨著IT網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的蓬勃發(fā)展和視頻監(jiān)控?cái)?shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、高清化、
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存儲(chǔ)技術(shù)介紹

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鐵電存貯器（FRAM）FM24C256 的特性
FRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)
鐵電存儲(chǔ)器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘優(yōu)勢(shì)分析
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鐵電存儲(chǔ)器FM3116在電能表中的應(yīng)用
隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器低能中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)
Design od the circuit in digital radio frequency
數(shù)據(jù)流盤(pán)高速存儲(chǔ)讀取技術(shù)最新進(jìn)展

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存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)演進(jìn)：NVMe over Fabrics (NVMeoF）

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