全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性存儲器解決方案的商業化。過去兩年，相變內存（PCM）、電阻式隨機存取內存 （RRAM） 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節點的試產階段，并運用3D堆疊技術實現高密度，以解決傳統DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發投入加速新材料與制程的成熟。 這
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AI 內存 臺積電 三星 存儲技術
據報道，當地時間4月16日，JEDEC固態技術協會宣布，正式推出HBM4內存規范JESD270-4，該規范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達 64GB。此外，HBM4將每個堆疊的獨立通道數加倍，從16個通道（
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自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以下三大創新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發，通過改進制造工藝，開發出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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近日，復旦大學和清華大學團隊在存儲芯片上創下新突破。復旦團隊研發超快閃存集成工藝，可實現20納秒超快編程、10年非易失；清華大學團隊則提出一種基于磁振子的新型邏輯器件，有望重構邏輯存儲器。復旦團隊研發超快閃存集成工藝，突破存儲速度極限非易失性存儲器是指即使在存儲器芯片的電源被關閉時，也可以保存數據的計算機存儲器。常見的非易失性存儲器包括閃存（Flash
Memory）、只讀存儲器（ROM），以及一些新技術如磁性隨機存儲器（MRAM）、鐵電隨機存儲器（FeRAM）、相變存儲器（PCM）等。其中閃存是目前
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存儲技術
當前低功耗問題仍是業界關心重點。根據國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預計銷售的AI服務器需求來看，到2026年，AI行業可能會呈指數級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務還轉向移動和PC設備，這導致功耗激增，因此這是一個關鍵的討論話題。因應市場需求，目前業界正積極致力于
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近日，中國科學家鐵電隧道結存儲器研發取得了新的進展。據中國科學院金屬研究所官網介紹，在最新完成的研究中，其研究團隊提出利用緩沖層定量調控薄膜應變，延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強鐵電極化強度的策略，成功揭示極化強度同鐵電隧道結存儲器隧穿電阻之間的內在關聯，并實現巨大隧穿電致電阻(或器件開關比)。鐵電隧道結具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結構。利用鐵電極化翻轉調控量子隧穿效應獲得不同的電阻態，從而實現數據存儲功能，具有高速讀寫、低功耗和高存儲容量等優點，屬于下一代信息存儲技術，近年來在信息存儲領域備受關注
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存儲器是電子信息處理系統中不可或缺的組成部分。在過去，依靠CMOS工藝的不斷進步，存儲器的性能得以不斷提高。但近年來，一方面，尺寸微縮導致的晶體管漏電問題越來越嚴重，在增大存儲器功耗的同時，惡化了存儲單元的保持特性，存儲器的發展遇到較為明顯的瓶頸；另一方面，人工智能和物聯網等領域的快速發展又對存儲器的容量速度以及功耗等性能指標提出了更高的要求。在這樣的背景下，由于嵌入式鐵電隨機存取存儲器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業參展。其中，美光首次亮相進博會，為業界帶來了一系列創新的內存和存儲產品及解決方案，并展示了其為賦能數據經濟發展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領域美光的展位以“深耕存儲領域，賦能數字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內存和存儲產品。展臺劃分為數據中心、汽車與智能邊緣領域、移動設備以及PC客戶端四大應用領域，最新的產品和解決方案令人印象深刻。這些創新的
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如何開發出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產品，這是美光研發工程師每天都要應對的挑戰。隨著各國對數字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實時大數據更新，以及移動設備、消費電子、汽車信息娛樂系統帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術為這些高性能存儲應用環境提供了可能。優秀的架構，高效優化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過增加NAN
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雙方將推動分區存儲技術標準化，共同致力于開發和推廣硬件規范，以及軟件應用模型，以建立一個強大的生態系統三星和西部數據（Nasdaq:
WDC）于今日宣布，雙方已簽署一份獨特的合作諒解備忘錄（MOU），以實現下一代數據放置、處理和結構（D2PF）存儲技術的標準化，并推動其廣泛采用。首先，雙方將致力于為分區存儲解決方案打造一個充滿活力的生態系統。這樣的舉措能讓行業催生出更多的應用，為客戶創造更大的價值。圖片上的內容：data taken as-is 按照原樣獲取數據 / serialized data 序
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在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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由于近年來C/S計算模型的廣泛采用，服務器都帶有自己的存儲系統，信息分散到各個服務器上，形成了所謂的“信息孤島”，不利于信息整合與數據共享。而網
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存儲技術
現在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，I
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以下所列三項技術趨于實用性，我們盡可能集中在了足夠成熟的熱門技術上。復制數據管理管理來自多種工具同一數據的繁多物理副本依然費用昂貴，
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