- 2025上海國際車展如火如荼展開，新能源車型不斷升級，更好的電動化、智能化成為提升產品競爭力的重要途徑之一。無論大尺寸中控屏、HUD、流媒體、DMS（駕駛員監控系統）、娛樂系統都將對存儲性能提出新的需求，車輛平均存儲數據也將會從35GB左右提升至于數百GB，甚至TB級別。可以看到，一個巨大的車規級存儲市場需求正在蓄勢待發，大容量、高性能、高可靠的車規級存儲已然成為標準配置，eMMC和舊規范的UFS將無法滿足未來高性能車規級存儲需求，車規級UFS 4.0將變得尤為重要。高速率傳輸改變出行隨著車載處理性能提升
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- 3月12日，全球領先的存儲解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場峰會CFMS 2025/MemoryS 2025，在現場針對人工智能?AI應用提出了全新的存儲解決方案，并預告了全新一代的QLC企業級與數據中心級SSD，以及下一代BiCS FLASH?，為云端計算、大模型加速，提供了高效、可靠的先進存儲解決方案。用QLC SSD滿足AI應用以DeepSeek為主的人工智能應用正在推動企業服務器和數據中心積極升級，在關注AI加速運算成本的同時，存儲密度和效能也已經成為關注的對象。特別是隨著AI應用增多，
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- 從AI服務器到AI PC，如何快速的用上DeepSeek成為熱門問題。無論DeepSeek Janus-Pro把多模態提升到了一個新層次，還是媲美主流的DeepSeek-V3，或者應用于本地的DeepSeek-V3，對存儲都提出了新的需求。以完整未蒸餾的DeepSeek R1模型為例，這是一個擁有6710億參數的混合專家（MoE）模型，未量化版本的文件體積高達720GB，而動態量化版本也達到150GB到400GB之間。DeepSeek讓GPU算力一下子得到了空前的釋放，允許廠商將更多的資源集中到其它關鍵硬
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- 自鎧俠官網獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCS FLASH? generation 8）實現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
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- DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術的創新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯合研發的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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- 1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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- 縱觀2024年，存儲技術升級已經給AI計算、云端應用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產車規級UFS 4.0推動行業發展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH??QLC，展示下一代前瞻性的光學結構SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應用需求，并已經為未來存儲鋪墊全新的技術可行性。更大容量的存儲AI計算對企業級存儲提出了更為嚴苛的要求，Tera級別參數的大模型可以輕松裝滿一塊30TB的企業級固態硬盤，更大容量的存儲解決
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- 全球領先的存儲解決方案供應商鎧俠株式會社，，今日宣布推出 EXCERIA PLUS G4 固態硬盤系列。該系列專為追求更高性能的游戲玩家和內容創作者而設計，在提高生產力和降低能耗的同時，帶來更佳的 PC 體驗。新的SSD系列即將在中國市場上市。EXCERIA PLUS G4系列采用新一代 PCIe 5.0 接口，順序讀取速度高達 10000MB/s，順序寫入速度高達 8200MB/s(2) （2TB 版本），可完美應對高性能游戲和視頻編輯的需求。在該系列中，鎧俠尤為注重優化產品的能耗和散熱性能。與上一代產
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- 車載中控屏幕和智能駕駛的不斷升級，已經成為影響我們智能出行的重要因素。流暢的車載智能系統交互與功能擴展已經成為基本盤。就目前而言，車輛平均存儲數據大約在35GB左右，但隨著智能體驗、高階輔助駕駛實裝，數百GB到上TB的存儲勢在必行。可以看到，一個巨大的車規級存儲市場需求正在蓄勢待發，大容量、高性能、高可靠的車規級存儲已然成為標準配置，并且會隨著需求增長不斷升級。但相對于消費級存儲，車規級存儲更為苛刻，它對工作溫度范圍、工作穩定性、不良率、使用壽命、車規級安全規范都有著明確的要求，以確保車輛高速行駛過程中的
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- 11 月 7 日消息，鎧俠日本當地時間昨日表示，其“創新型存儲制造技術開發”提案已獲日本新能源?產業技術綜合開發機構（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統基礎設施研究開發項目 / 先進半導體制造技術開發”計劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統時代，AI 普及等因素產生的數據量預計將變得極其龐大，從而導致數據中心的數據處理和功耗增加。因此數據中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數據，提高容量并降低功耗。鎧俠計劃開發新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM
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- 智能手機已經成為我們不可或缺的AI設備，隨身運行的大模型，人工智能圖像與視頻識別，讓手機的易用程度又向上提升了一個臺階。特別是隨著驍龍8至尊版正式發布，新一輪的裝備升級勢在必行。更強的CPU、GPU和NPU給端側的AI性能帶來了更多可能，但也給存儲帶來全新的挑戰，搭載AI的系統和本地大模型如何被高效的運用和讀取，在網絡信號不佳的前提下，存儲能否擔當起及時的AI響應，本地存儲空間是否足夠離線模型的存儲？這時候，UFS 4.0存儲方案自然而然擺上了臺面。UFS 4.0存儲其實早已在高性能手機中被廣泛使用，不像
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- 自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以下三大創新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發，通過改進制造工藝，開發出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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- 鎧俠株式會社，全球領先的存儲解決方案供應商，近日宣布推出EXCERIA PLUS G2移動固態硬盤系列。該系列是一款全新的外置存儲解決方案，計劃于近日(1) 上市。EXCERIA PLUS G2移動固態硬盤系列采用鎧俠的SSD技術和BiCS FLASH? 3D閃存，并采用緊湊、優雅、便攜?(2) 的設計，特別適合需隨身攜帶數據的用戶。該移動固態硬盤系列小巧便攜，手掌大小即可存儲多達2TB的數據，同時它還具有極高的抗震性，符合MIL-STD跌落試驗標準(3) 。與上一代EXCERIA PLUS移動
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- 隨著第六代至強數據中心處理器發布，給AI、數據分析、網絡、安全、存儲和HPC帶來新一輪的應用升級。作為針對可持續性設計的數據中心級處理器，提升效能和性價比成為應對當下數據和應用需求暴增需求的關鍵。存儲作為數據中心關鍵角色之一，同樣承擔起了推動效能與性價比的責任，那么在新一輪數據中心硬件升級的環境下，有效利用合理資源打造高性價比數據中心，就變得尤為重要了。分布式存儲打開思路在控制成本的選項中，分布式存儲系統是一個分布式存儲系統是一種可擴展的系統結構，利用多臺存儲服務器協同工作，實現負荷分擔，并提升了系統的可
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- 第八代BiCS FLASH已然投入量產，意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創新架構，實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
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