新聞中心

        EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > 谷歌Tensor G5芯片或已進入流片階段,基于臺積電3nm制程

        谷歌Tensor G5芯片或已進入流片階段,基于臺積電3nm制程

        作者: 時間:2024-07-02 來源:SEMI 收藏

        據臺媒報道,最新消息稱預計用于明年旗艦智能手機的將基于臺積電3nm制程,目前已成功進入流片階段。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202407/460545.htm

        據了解,代號為Laguna Beach“拉古納海灘”,該芯片采用臺積電InFo_PoP晶圓級扇出封裝技術,實現SoC和DRAM的堆疊,支持16GB以上內存。這種封裝技術能有效提升芯片的性能,并減小其物理尺寸,為Pixel設備帶來更強大的性能和更緊湊的設計。

        此前推出的前四代Tensor芯片均基于三星Exynos的修改版本,并由三星代工生產。而Tensor G5的全自研,意味著谷歌將能夠實現對Pixel設備從芯片到設備整機再到操作系統乃至應用程序的全方位掌控。這種深度整合的軟硬件設計,將有助于谷歌更快地將應用部署在自家設備上,從而打造差異化產品,提升市場競爭力。



        關鍵詞: 谷歌 Tensor G5芯片 AI

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 河池市| 营山县| 霞浦县| 阜新市| 临清市| 伊金霍洛旗| 武平县| 措美县| 郸城县| 岳阳县| 怀来县| 武夷山市| 金堂县| 思茅市| 闽侯县| 许昌市| 股票| 即墨市| 新乡县| 浮梁县| 五大连池市| 吉首市| 阿拉善右旗| 乐安县| 黑龙江省| 奇台县| 龙山县| 黄骅市| 开阳县| 江西省| 西宁市| 金寨县| 五原县| 新竹市| 罗定市| 文山县| 喀喇沁旗| 湖北省| 南宁市| 温宿县| 方正县|