臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開(kāi)始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備，以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。

臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱(chēng)，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程，并正在進(jìn)行無(wú)塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開(kāi)始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預(yù)定在2027年評(píng)估該廠將采用2nm還是A14工藝節(jié)點(diǎn)。

據(jù)預(yù)測(cè)，臺(tái)積電的2nm技術(shù)將在今年末將做好風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進(jìn)入大批量生產(chǎn)。盡管臺(tái)積電暫未披露相關(guān)設(shè)備采購(gòu)計(jì)劃，但無(wú)疑最新型的EUV光刻機(jī)是達(dá)成2nm制程的必要條件，而英特爾已率先入手ASML的首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)（每臺(tái)售價(jià)高達(dá)4億歐元）。

另外，臺(tái)積電自2023年第三季度以來(lái)，其3nm工藝節(jié)點(diǎn)的營(yíng)收比例已升至約6％，目前每月3nm產(chǎn)能已逐步攀升至10萬(wàn)片，且預(yù)計(jì)今年將對(duì)收入的貢獻(xiàn)比重將更高。3nm節(jié)點(diǎn)中，繼N3B之后，性能更好的N3E于2023年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)，此外N3P、N3X工藝也將滿足各類(lèi)客戶(hù)的需求。

值得一提的是，臺(tái)積電是全球最大的芯片制造企業(yè)之一，在先進(jìn)制程技術(shù)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。隨著2nm晶圓工廠的陸續(xù)落成和投入運(yùn)營(yíng)，臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持領(lǐng)先地位，進(jìn)一步提升在全球市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。