“薄膜生長(zhǎng)”國(guó)產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置在武漢驗(yàn)收

據(jù)武漢市科技局官微消息，日前，半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的重要工藝設(shè)備——“薄膜生長(zhǎng)”實(shí)驗(yàn)裝置在武漢通過驗(yàn)收，這項(xiàng)原創(chuàng)性突破可提升半導(dǎo)體芯片質(zhì)量。

據(jù)悉，半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)是芯片生產(chǎn)的核心上游工藝。這套自主研制的“薄膜生長(zhǎng)”國(guó)產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置，由武漢大學(xué)劉勝教授牽頭，聯(lián)合華中科技大學(xué)、清華大學(xué)天津高端裝備研究院、華南理工大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所等多家單位，歷時(shí)5年完成。

這套“薄膜生長(zhǎng)”國(guó)產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置由“進(jìn)樣腔”、“高真空環(huán)形機(jī)械手傳樣腔”等多個(gè)腔體和“超快飛秒雙模成像系統(tǒng)”、“超快電子成像系統(tǒng)”等多個(gè)構(gòu)件組成。據(jù)武漢大學(xué)副研究員吳改介紹，這套裝置將硅、藍(lán)寶石等襯底放入進(jìn)樣腔，通過“高真空環(huán)形機(jī)械手”將襯底轉(zhuǎn)運(yùn)至功能不同的腔體，實(shí)現(xiàn)襯底的預(yù)處理、薄膜生長(zhǎng)、等離子體清洗等過程。