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        英特爾首次采用EUV技術的Intel 4制程節點已大規模量產

        作者: 時間:2023-10-16 來源:SEMI 收藏
        近日,宣布已開始采用極紫外光刻()技術大規模量產(HVM)Intel 4制程節點。

        中國官微獲悉,近日,宣布已開始采用極紫外光刻()技術大規模量產(HVM)Intel 4制程節點。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202310/451597.htm

        據悉,作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產的制程節點,Intel 4與先前的節點相比,在性能、能效和晶體管密度方面均實現了顯著提升。極紫外光刻技術正在驅動著算力需求最高的應用,如AI、先進移動網絡、自動駕駛及新型數據中心和云應用。

        英特爾“四年五個制程節點”計劃正在順利推進中。目前,Intel 7和Intel 4已實現大規模量產;Intel 3正在按計劃推進,目標是2023年底;采用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術的Intel 20A和Intel 18A同樣進展順利,目標是2024年。此外,英特爾將于不久后推出面向英特爾代工服務(IFS)客戶的Intel 18A制程設計套件(PDK)。



        關鍵詞: 英特爾 EUV Intel4

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