CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創新區“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統 (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲“最佳演示”獎。

CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術為全球客戶進行大批量生產，將典型外部驅動電路的復雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級的元件數量，并顯著提高功率晶體管和整個系統的穩健性和可靠性，同時使用戶能夠將其與所選的柵極驅動器耦合。這一概念可以輕松擴展到更高的功率和電壓，這也是 CGD 正在積極追求的目標。ICeGaN 作為行業首創，可以像 Si MOSFET 一樣驅動 GaN eMode HEMT。正是因為 ICeGaN 給市場帶來的差異化特性，創新區參觀者將其評選為“最佳演示”。創新區是臺積電在歐洲最大的年度活動中為初創客戶展示尖端產品的地方。

GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席執行官

“CGD 認可臺積電在高壓 GaN 領域的領導地位，我們相信他們擁有業界最成熟、最可靠的工藝，所以我們選擇由臺積電生產我們的專有 ICeGaN 技術 SoC。因此，我們也很高興獲得臺積電久負盛名的創新獎。

這對我們來說具有重要意義，因為創新是 CGD 的關鍵價值觀之一，我們的目標是憑借技術取得領先地位。該獎項也真實地展示了我們兩家公司在將顛覆行業的創新 GaN 技術推向市場方面所取得的成功。”

Paul de Bot | 臺積電歐洲區總經理

“我們對   CGD 表示最熱烈的祝賀，其創新技術能夠獲得此獎項，的確實至名歸。臺積電很高興與 CGD 合作，向全球開發各種應用的公司大批量供應易于使用的 650V ICeGaN GaN 晶體管。我們期待與他們在 GaN 功率半導體技術領域的密切合作。”

近期剛剛上市的 ICeGaN H2 單芯片 eMode GaN HEMT 是我們的第二代 650V GaN IC，在空載到輕載工作中表現出創紀錄的低損耗特性，這對于許多消費和工業應用至關重要。CGD 與 H1 產品組合一起，在這次著名的臺積電歐洲活動和全球多個知名會議上展示了 65W 至 3kW 整個范圍內的最高效率和可靠性。CGD 力爭在不久的將來擴展其產品組合。

ICeGaN 在功率晶體管芯片內包含單片集成 GaN 接口電路。這簡化了它們的使用方法，使它們能夠像硅 MOSFET 一樣驅動，而不需要特殊的柵極驅動器、復雜且有損耗的驅動電路、負電壓電源或外部鉗位元件。這種創新設計使器件極其堅固可靠，同時實現了現有 eMode GaN 技術中的最高性能。