臺(tái)灣要求：臺(tái)積電美國廠工藝要落后臺(tái)灣一代

據(jù)tomshardware報(bào)道，臺(tái)灣官員在新聞發(fā)布會(huì)上表示，隨著臺(tái)積電向美國擴(kuò)張，他們將部署一個(gè)特別小組來保護(hù)臺(tái)積電的技術(shù)和商業(yè)機(jī)密。據(jù)DigiTimes報(bào)道，知情人士透露該公司在美國的晶圓廠將永遠(yuǎn)比臺(tái)灣的晶圓廠落后一代 。

據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣科學(xué)技術(shù)委員會(huì)部長吳宗聰（音譯）表示，臺(tái)灣將部署一個(gè)團(tuán)隊(duì)來監(jiān)控臺(tái)積電的關(guān)鍵技術(shù)，因?yàn)樗鼈兪桥_(tái)灣利益的重要組成部分。

目前尚不清楚該團(tuán)隊(duì)將如何運(yùn)作，以及臺(tái)灣是否會(huì)要求臺(tái)積電部署加強(qiáng)安全措施，甚至試圖限制向美國出口某些工藝技術(shù)或?qū)Ｓ屑夹g(shù)，但臺(tái)灣相關(guān)部長明確表示，希望臺(tái)灣繼續(xù)保持臺(tái)積電的據(jù)點(diǎn)，全球合同芯片生產(chǎn)中心。

事實(shí)上，臺(tái)積電本身也計(jì)劃將其最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)留在臺(tái)灣。該公司位于亞利桑那州的 Fab 21 將在 2024 年初上線時(shí)使用臺(tái)積電的 N5（5 納米級(jí)）制造工藝生產(chǎn)芯片。屆時(shí)臺(tái)積電 位于臺(tái)南附近的南臺(tái)灣科學(xué)園區(qū)的制造工廠將在臺(tái)積電的 N3 上量產(chǎn)芯片 （3納米級(jí)）制造技術(shù)。此外，當(dāng) Fab 21 的第二階段（具有 N3 能力）于 2026 年開始運(yùn)營時(shí)，臺(tái)積電在臺(tái)灣的晶圓廠將在其 N2 節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)芯片。

“臺(tái)積電在美國的業(yè)務(wù)將繼續(xù)遵循 N 減 1 的原則，”一位接近該公司的人士 本周早些時(shí)候在接受英國《金融時(shí)報(bào)》采訪時(shí)表示。其他消息人士表示，美國的晶圓廠將用于為美國國防工業(yè)供應(yīng)鏈等應(yīng)用制造芯片。

但工藝技術(shù)本身并不是臺(tái)積電必須保護(hù)的唯一專有技術(shù)。世界第一的晶圓代工廠似乎沒有類似于英特爾的 Copy Exactly 的計(jì)劃，后者在全球不同的晶圓廠部署最知名的制造實(shí)踐以確保最大產(chǎn)量。因此，美國的晶圓廠與臺(tái)灣的晶圓廠略有不同，可能無法提供與臺(tái)灣晶圓廠相同的良率。那些每個(gè)晶圓廠獨(dú)有的提高良率的技術(shù)是臺(tái)積電想要保護(hù)的能力，而臺(tái)灣傾向于保留適用于臺(tái)灣當(dāng)?shù)鼐A廠的技術(shù)訣竅。