力拚臺積電押寶3納米GAAFET技術，三星3年內良率成關鍵

韓國媒體表示，韓國三星計劃3年內創建GAAFET技術3納米節點，成為芯片代工業界的游戲規則破壞者，追上全球芯片代工龍頭臺積電。

《BusinessKorea》指出，GAAFET技術是新時代制程，改善半導體晶體管結構，使柵極接觸晶體管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技術生產芯片比FinFET更精確控制電流。

市場研究調查機構TrendForce報告指出，2021年第四季臺積電全球芯片代工產業以高達52.1%市場占有率狠甩韓國三星，為了追上臺積電，三星押注GAAFET技術，并首先用于3納米節點，6月開始試產，成為全球首家采用GAAFET技術的芯片代工廠。三星資料顯示，與5納米制程相較，GAAFET技術3納米制程性能提高15%，能耗降低30%，芯片面積減少35%。

三星近期試產GAAFET技術3納米制程后，接下來是2023年導入第二代3納米制程芯片量產，并2025年量產GAAFET技術2納米制程。反觀臺積電，下半年量產采用FinFET技術3納米節點。臺積電沿用FinFET技術的原因是成本與穩定性。

韓國市場人士表示，如果三星GAAFET為主3納米制程確保良率，就能成為代工市場的游戲規則破壞者。加上臺積電日前公布2025年才會導入GAAFET技術2納米制程，2026年左右發布第一款產品，從2022年底到2025年3年，對三星芯片代工業務來說非常關鍵。

近日三星宣布五年內投資半導體等關鍵產業總計450兆韓元，卻面臨3納米制程障礙。與三星相同的是，臺積電提高3納米良率也有困難，原本計劃7月開始為英特爾和蘋果量產3納米芯片，GPU大廠英偉達也支付高達90億美元預付款，采臺積電3納米生產今年發布的GeForce RTX40系列GPU，但良率問題，GeForce RTX40系列GPU最后采5納米而非3納米。

報引導用臺灣媒體指出，臺積電難確保3納米預期良率，多次修改技術路線。不過臺積電狀況三星也有一樣遭遇。雖然三星宣稱3納米準備試產，但良率還是過低，一直延后量產進程。韓國市場分析師表示，除非三星為7納米或更先進制程技術取得更多客戶，否則可能加劇投資者對三星業績的信心不足。