創意攻AI／HPC客制化ASIC市場

IC設計服務廠創意宣布推出采用臺積電2.5D及3D先進封裝技術（APT）制程平臺，可縮短客制化特殊應用芯片（ASIC）設計周期，有助于降低風險及提高良率。創意第一季營收雖因淡季較上季下滑，但預期仍為季度營收歷史次高，今年5奈米及7奈米委托設計（NRE）接案暢旺，ASIC量產逐步放量，將全力搶攻人工智能及高效能運算（AI／HPC）客制化ASIC市場龐大商機。

創意對今年維持樂觀展望，成長動能來自5奈米及7奈米AI／HPC相關芯片NRE接案暢旺，12奈米固態硬盤控制IC及網通芯片量產規模放大。再者，創意過去3年的NRE案會在今年陸續導入5奈米及7奈米量產，配合臺積電晶圓代工及先進封裝產能支持，對爭取系統廠AI／HPC客制化ASIC委外訂單深具信心。

創意發布2.5D與3D多晶粒APT平臺，支援臺積電CoWoS-S、CoWoS-R、InFO等先進封裝技術。創意提供全方位解決方案，包括完成硅驗證的接口硅智財（IP）、CoWoS與InFO信號及電源完整性、熱仿真流程等，以及經產品量產驗證的可測試性設計（DFT）與生產測試。

創意表示，因為擁有多年配備高帶寬內存（HBM）的CoWoS-S產品量產經驗，且InFO設計與仿真流程搭配內部7奈米及5奈米晶粒對晶粒接口GLink IP已完成硅驗證。近來創意使用5奈米制程4Gbps HBM2E物理層與控制器IP，完成了CoWoS-R測試芯片驗證。

創意總經理戴尚義表示，創意去年開發出新一代HBM3、GLink-2.5D與GLink-3D等IP，并完成CoWoS-S／R與InFO設計平臺驗證，可說是經歷了突破性的進展。創意與臺積電協力合作，致力降低最先進2.5D與3D技術使用門坎，讓客戶能開發具成本效益的高效能產品，并更快進入量產。