芯片競賽：三星首發3nm，IBM推出2nm，臺積電1nm大突破

上世紀的40年代，美國發起了一項曼哈頓計劃，這項計劃給人類帶來了原子彈，也給人類帶來了計算機。

而在上世紀50年代，集成電路正式被發明，從此計算機+集成電路，真正帶來了整個IT產業的大發展，如今全球的IT產業一年的規模超過10萬億美元。

當然，在整個IT產業的大發展之中，集成電路也可以說是芯片是整個IT產業的基礎，沒有芯片，就沒有IT產業，而芯片在關鍵又在于制造。所以我們看到，全球芯片大戰的關鍵，最終還是落到芯片制造技術本身。

所以我們看到臺積電、三星這兩大代工巨頭，這幾年可以說是在芯片制程上不斷前進，你追我趕，然后把intel徹底的甩到了身后。

3月份的時候，三星全球首發了3nm的芯片，這是一顆3nm的 SRAM芯片，容量達到了256GB，但面積只有56平方毫米，采用了GAAFET晶體管工藝。

三星這顆3nm的芯片推出后，很多人表示，這次三星可能要領先于臺積電了，因為三星這次確實在技術上似乎領先了，畢竟使用GAAFET工藝，而臺積電之前表示3nm芯片還使用FinFET晶體管工藝。

不過沒過多久，IBM就搞了一個大新聞，全球首發了一顆2nm工藝的芯片，與三星的3nm芯片一樣，采用的是GAAFET晶體管技術。

IBM的這顆芯片，晶體管密度達到了3.33MTr /mm2，也就是3.3億個每平方毫米。這個密度相比于臺積電、三星公布的3nm技術，先進了一大截。

很多認為在這波競賽中，似乎臺積電落后了，畢竟三星3nm芯片首發了，IBM的2nm芯片也有了，臺積電還沒動靜啊。

誰知道，臺積電近日也搞出了一個大消息，表示自己取得了1nm以下制程重大突破。

臺積電是與臺大、美國麻省理工學院合作研究，發現了用二維材料結合「半金屬鉍（Bi）」能達極低電阻，接近量子極限。

利用這種技術，有助實現半導體1nm以下制程挑戰，因為它能夠解決二維材料高電阻及低電流等問題。

當然，從實際來看，除了三星的3nm技術是基本靠譜，明年可量產的技術外，像IBM的2nm，還有臺積電的這個「半金屬鉍（Bi）」技術，更多的還是在理論階段，但這無不表明，芯片戰爭真的無止境。