Intel宣布全新混合結合封裝：凸點密度猛增25倍
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在Intel的六大技術支柱中，封裝技術和制程工藝并列，是基礎中的基礎，這兩年Intel也不斷展示自己的各種先進封裝技術，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202008/417173.htmIntel又宣布了全新的“混合結合”(Hybrid Bonding)，可取代當今大多數封裝技術中使用的“熱壓結合”(thermocompression bonding)。
據介紹，混合結合技術能夠加速實現10微米及以下的凸點間距(Pitch)，提供更高的互連密度、更小更簡單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。
Intel目前的3D Foveros立體封裝技術，可以實現50微米左右的凸點間距，每平方毫米集成大約400個凸點，而應用新的混合結合技術，不但凸點間距能縮小到1/5，每平方毫米的凸點數量也能超過1萬，增加足足25倍。
采用混合結合封裝技術的測試芯片已在2020年第二季度流片，但是Intel沒有披露未來會在什么產品上商用。
Foveros封裝的Lakefield
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