Intel/臺積電/ASML齊捧EUV光刻:捍衛摩爾定律
日前,中國國際半導體技術大會(CSTIC)在上海開幕,為期19天,本次會議重點是探討先進制造和封裝。
本文引用地址:http://www.104case.com/article/202007/415096.htm其中,光刻機一哥ASML(阿斯麥)的研發副總裁Anthony Yen表示,EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進工藝的設備,EUV技術已經被廣泛認為是突破摩爾定律瓶頸的關鍵因素之一。
Yen援引統計數據顯示,截至2019年第四季度,ASML當年共售出53臺EUV NXE:3400系列EUV光刻機,使用EUV機器制造的芯片產量已經達到1000萬片。他說,EUV已經成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電路的最關鍵武器。
Yen還指出,三星電子于2020年3月宣布正式采用EUV光刻設備制造10nm DRAM芯片,預計2021年將大量使用這些設備來支持先進的DRAM工藝。
臺積電研發副總裁Doug Yu則在會上提及,Chiplet小芯片系統封裝技術被認為是擴展摩爾定律有效性的另一種武器,它認為Chiplets可以促進芯片集成、降低研發成本、提高成品率和實現高性能計算以及設計和架構創新。Yu透露,臺積電開發了LIPINCONTM(低壓封裝互連)技術,數據傳輸速度為8GB/s/pin,旨在優化芯片的性能。
除前端工藝技術外,臺積電還熱衷于開發先進的封裝工藝,最新的3D SoIC封裝技術將于2021年進入批量生產,這將促進高性能芯片的成本效益生產。
值得一提的是,Intel院士Ravi Mahajan援引Yole的統計數據稱,2024年先進的封裝市場規模將增長到440億美元,這促使Intel加緊在2.5D和3D封裝業務中的部署。
Intel所謂的2.5D封裝即EMIB多芯片互聯,封裝尺度目前是55nm,3D封裝則是Foveros,尺度50nm。Intel正致力于將EMIB推進到30-45 nm,3D Foveros推進到20~35nm。
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