英特爾10nm制程工藝指標遠超臺積電7nm

英特爾10nm制程工藝姍姍來遲，受到外界不少的質疑。即便在今年臺北電腦展上英特爾已經發布了10nm處理器，但是首批搭載10nm處理器的電腦究竟何時上市還是沒有確切的時間。此前媒體大多分析將于今年第三季度發布，如果真是這樣的話，那么可能最早在7月份才能見到英特爾10nm產品。

此外，在英特爾發布10nm處理器之后，官方參數顯示10nm處理器的主頻和睿頻基準都有所降低，尤其是默認主頻降幅較大。但是在技術層面，英特爾表示10nm處理器的IPC提升18%，熟悉處理器的朋友都知道，IPC提升18%是一件非常困難的事情，因此雖然10nm處理器主頻降低，但考慮到大幅提升的IPC，10nm處理器的性能還是值得期待的。

此前GeekBench 4跑分露出了英特爾10代酷睿，也就是首批10nm酷睿處理器的表現，其最終成績非常不錯。而近日，英特爾10nm制程工藝的基本指標也被放了出來，如下：

從上圖可知，英特爾10nm制程在晶體管密度上做到了100.76Mtr/mm2、柵極間距54×44nm，SRAM面積為0.0312μm2，與臺積電7nm制程相比，在基本指標上均取得大幅領先。因此即便之前英特爾官方公布的10nm處理器主頻下降不少，但從IPC性能、晶體管密度、柵極間距等其它關鍵指標來看，英特爾10代酷睿的性能發揮值得期待。

編輯點評

目前，英特爾10nm制程處理器已經大規模發貨，不過首批都是應用于輕薄型筆記本電腦上的低壓U系列處理器，也就是Ice Lake-U，至于移動級45W標壓處理器、桌面65W/95W處理器、甚至是為專業設計師、視頻剪輯提供的發燒平臺Ice Lake-X、至強D等，還需要等到明年才能看到。