格芯成都廠停擺，全球晶圓代工業版圖或生變動

　　全球第二大晶圓代工廠—格芯近來營運頻傳利空消息，除2018年下半年宣布不再追求7奈米先進制程的開發，且2019年1月底將位于新加坡Tampines的Fab 3E 8吋晶圓廠售予世界先進，2月中旬又傳出格芯與成都市政府在高新區的12吋廠投資計劃停擺，此已是格芯先前投資重慶喊卡后，投資大陸再次失利的狀況，除反映近期晶圓代工景氣情勢反轉向下，影響投資計劃，且面臨大陸企業逐步崛起的競爭之外，更加凸顯格芯本身營運遭遇困境，特別是阿布達比資金的抽離、大客戶AMD轉而投向臺積電7奈米制程、格芯跳躍式的制程研發面臨瓶頸等，均使得格芯的晶圓代工制程結構轉型困難重重。

　　整體來說，全球晶圓代工業版圖的分配上，未來依舊以臺積電為首，且2019年市占率將有機會持續提高至58%左右，主要是支援EUV的7奈米強化版制程將于2019年第二季進入量產，且有更多智慧型手機、高效能運算、車用電子等晶片會導入7奈米，而臺積電5奈米制程則于2019年上半年進行風險性試產，意謂即便當前面臨半導體業景氣出現明顯趨緩態勢，但2019年臺積電先進制程的推進仍如期進行。

　　反觀全球晶圓代工市占率介于5至10%的第二至五大廠商，2019年版圖將互有消長，其中格芯市占率恐由2018年的9%向下滑落，聯電市占率則須視Micron控告公司與福建晉華案的訴訟變化，以及公司執行追求報酬為導向的投資策略、專注于在成熟特殊制程的技術優勢成效而定，而Samsung、中芯國際則有反攻向上的機會，其中大陸第一大晶圓代工廠──中芯國際在成熟制程上多元戰略發展，已有效的減少大幅投入先進生產線而產生的財務折舊壓力，況且在14奈米FinFET技術開發出現進展，第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段，同時28奈米HKC+技術順利開發完成，意謂在國家政策和集成電路大基金的支持之下，中芯國際將持續背負推進對岸先進晶圓制程的任務。至于包括Tower Jazz、力晶、世界先進等，2019年其全球晶圓代工市場占有率均分別不超過3%。