硅光時代臨近 芯片技術持續提升

　　硅光子技術是基于硅材料，利用現有CMOS工藝進行光器件開發與集成的新一代通信技術。硅光子技術的核心理念是“以光代電”，將光學器件與電子元件整合到一個獨立的微芯片中，利用激光作為信息傳導介質，提升芯片間的連接速度。

　　硅光時代臨近，芯片集成度有望大幅提升

　　近年來，隨著物聯網、大數據等應用的快速發展，全球數據流量呈快速增長態勢，對傳輸的需求也逐漸提升。目前，傳統光模塊主要利用III-V族半導體芯片、電路芯片、光學組件等器件封裝而成，本質上屬于“電互聯”范疇。隨著晶體管加工尺寸逐漸縮小，電互聯將逐漸面臨傳輸瓶頸。目前，對于傳統的三五族半導體光芯片，25Gbps已接近傳輸速率的瓶頸，進一步提升速率需要采用PAM4等技術。隨著高速光模塊在數據中心的大量運用，傳統III-V族半導體的光芯片將面臨并行傳輸、三五族磊晶成本高昂等問題。在此背景下，硅光子技術應運而生，成為III-V族半導體之外的一大選擇。

　　在硅光子技術中，芯片的概念由原先的激光器芯片延伸至集成芯片。從結構上看，硅光芯片包括光源、調制器、波導、探測器等有源芯片及源芯片。硅光芯片將多個光器件集成在同一硅基襯底上，一改以往器件分立的局面，芯片集中度大幅提升。硅光子技術主要有以下三大優勢：

　　(1)集成度高。硅光子技術以硅作為集成芯片的襯底。硅基材料成本低且延展性好，可以利用成熟的硅CMOS工藝制作光器件。與傳統方案相比，硅光子技術具有更高的集成度及更多的嵌入式功能，有利于提升芯片的集成度。

　　(2)成本下降潛力大。在光器件和光模塊中，光芯片的成本占比較高。傳統的GaAs/InP襯底因晶圓材料生長受限，生產成本較高。近年來，隨著傳輸速率的進一步提升，需要更大的三五族晶圓，芯片的成本支出將進一步提升。與三五族半導體相比，硅基材料成本較低且可以大尺寸制造，芯片成本得以大幅降低。

　　(3)波導傳輸性能優異。硅的禁帶寬度為1.12eV，對應的光波長為1.1μm。因此，硅對于1.1—1.6μm的通信波段(典型波長1.31μm/1.55μm)是透明的，具有優異的波導傳輸特性。此外，硅的折射率高達3.42，與二氧化硅可形成較大的折射率差，確保硅波導可以具有較小的波導彎曲半徑。