發(fā)力氮化鎵，格芯獲巨額補(bǔ)貼

12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國(guó)政府獲得了950萬(wàn)美元（折合人民幣約6900萬(wàn)元）的聯(lián)邦資助，用于推進(jìn)其位于美國(guó)佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

據(jù)介紹，這筆資金由美國(guó)國(guó)防部可信接入項(xiàng)目辦公室（TAPO）提供，是美國(guó)聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項(xiàng)目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測(cè)試增加新的工具、設(shè)備和原型開發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。

據(jù)悉，自2020年以來，包括這項(xiàng)新資金在內(nèi)，格芯總共從美國(guó)政府獲得了8000多萬(wàn)美元，用于支持研究、開發(fā)和全面制造氮化鎵芯片。其中包括2023年10月，格芯氮化鎵項(xiàng)目獲得了美國(guó)政府3500萬(wàn)美元的資助。而在今年2月，作為芯片和科學(xué)法案的一部分，美國(guó)商務(wù)部宣布計(jì)劃向格芯提供15億美元的直接資助，用以擴(kuò)大其在美國(guó)的氮化鎵晶圓廠產(chǎn)能。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，今年6月，格芯和BAE Systems建立了合作伙伴關(guān)系，以加強(qiáng)美國(guó)國(guó)家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長(zhǎng)期戰(zhàn)略進(jìn)行合作，雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對(duì)航空航天和國(guó)防系統(tǒng)的安全芯片及解決方案。

隨后在7月，格芯收購(gòu)了Tagore Technology的氮化鎵功率產(chǎn)品組合，并在印度加爾各答創(chuàng)建了格芯加爾各答功率中心。該中心與格芯位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持，有助于推動(dòng)格芯在氮化鎵芯片制造領(lǐng)域的研發(fā)和量產(chǎn)。