發力氮化鎵，格芯獲巨額補貼

12月4日，據GlobalFoundries（格芯）官網消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產。

據介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續為其氮化鎵IP產品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開發能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。

據悉，自2020年以來，包括這項新資金在內，格芯總共從美國政府獲得了8000多萬美元，用于支持研究、開發和全面制造氮化鎵芯片。其中包括2023年10月，格芯氮化鎵項目獲得了美國政府3500萬美元的資助。而在今年2月，作為芯片和科學法案的一部分，美國商務部宣布計劃向格芯提供15億美元的直接資助，用以擴大其在美國的氮化鎵晶圓廠產能。

業務進展方面，今年6月，格芯和BAE Systems建立了合作伙伴關系，以加強美國國家安全項目的關鍵半導體供應。根據該協議，兩家公司將就增加美國半導體創新和制造的長期戰略進行合作，雙方共同目標是推進美國國內芯片制造和封裝生態系統，主要針對航空航天和國防系統的安全芯片及解決方案。

隨后在7月，格芯收購了Tagore Technology的氮化鎵功率產品組合，并在印度加爾各答創建了格芯加爾各答功率中心。該中心與格芯位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持，有助于推動格芯在氮化鎵芯片制造領域的研發和量產。