三星半導體資本支出超過英特爾和臺積電的總和達到260億美元

　　預計三星今年的資本支出將達到260億美元，超過英特爾和臺積電的總和。

　　ICInsights已經修改了半導體行業的資本支出預估，本月底將會發布新的報告。ICInsights最新的預測顯示，今年半導體行業資本支出增長35%，達到908億美元。

　　去年，三星在半導體行業的資本支出為113億美元，預計2017年該業務支出將翻一番達到260億美元。ICInsights總裁BillMcClean表示：“在我關注半導體行業的37年里，從沒見過今年如此猛烈的半導體資本支出增長勢頭。今年三星在半導體行業的巨額開支是史無前例的。”

　　圖1顯示了自2010年以來三星半導體業務的資本投入情況，這一年也是該公司第一次在半導體資本支出上超過100億美元。在2016年投入113億美元之后，預計今年的資本支出激增比例讓人驚訝。

　　三星的開支計劃到底有多么兇猛?ICInsights預計，三星2017年第四季度的半導體資本支出為86億美元，將占到整個半導體行業的33%(整個行業第四季度支出預計達到262億美元)。同時，三星在第四季度的半導體銷售額占整個行業的16%左右。

　　ICInsight預估的三星今年260億美元半導體資本支出分為以下幾個部分：

　　3DNANDflash：140億美元(包括在平澤工廠的產能大幅增長)

　　DRAM：70億美元(為了彌補因遷移而造成的產能損失)

　　代工/其他：50億美元(用于提升10納米制程能力)

　　ICInsights認為，今年三星的巨額支出將對未來產生很大影響，3DNAND閃存市場可能會出現產能過剩情況，這種產能過剩一方面是因為三星在3DNAND閃存市場的巨額投資，另一方面如SK海力士、美光、東芝、英特爾等公司對這一細分市場的投資激增導致。從某種程度上來說，三星的競爭對手必須提高產能否則將失去部分市場份額。

　　三星的投資熱預計也成為中國3DNAND閃存或DRAM相關企業的噩夢，此前ICInsights一直對中國初創企業對抗諸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技術持懷疑態度。如今三星在資本支出上的瘋狂成了自己市場地位的保證，如果中國企業不能和現有的大型存儲進行合作，那么未來很難有更強的競爭力。