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        華虹宏力榮獲“國家金卡工程2017年度金螞蟻獎”

        作者: 時間:2017-06-27 來源:電子產品世界 收藏

          近日,全球領先的200mm純代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號:1347.HK)之全資子公司上海半導體制造有限公司(“”)的“90納米低功耗嵌入式閃存工藝”項目榮獲“國家金卡工程2017年度金螞蟻獎-最佳產品配套獎”。這是連續多年獲得國家金卡工程建設的最高獎項——金螞蟻獎,再次印證了華虹宏力在嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝技術上的領先地位。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201706/361048.htm

          此次獲獎的90納米低功耗嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺由華虹宏力自主研發,是全球最先進的200mm代工eFlash技術。該工藝可與標準邏輯工藝完全兼容,并能在同一制程兼容嵌入式電可擦除只讀存儲器;在確保高性能、低功耗和高可靠性的基礎上,提供了極小面積的低功耗閃存IP;具有極高集成度的基本單元庫,與0.11微米eFlash工藝相比,門密度提升30%以上。基于這些優點,采用華虹宏力90納米低功耗eFlash工藝平臺制造的芯片面積更小,與0.11微米工藝相比,單片上的芯片數量增加30%以上。華虹宏力90納米低功耗eFlash工藝平臺能夠為SIM卡、電子秘鑰(UKey)、單線協議SWP(Single Wire Protocol)SIM卡、社保卡、交通卡等智能卡產品、安全芯片產品以及微控制器(MCU)產品等,提供極佳性價比的芯片制造技術解決方案。

          華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士表示,“華虹宏力伴隨金卡工程一起成長,通過持續在該技術領域的深耕發展,已成為智能卡IC生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC代工者。隨著90納米eFlash技術的成功開發,我們會將越來越多的智能卡產品持續導入至90納米。90納米低功耗eFlash工藝以其尺寸小、功耗低、性能高的特點,具有很強的市場競爭優勢,將推動新一代應用的快速發展。華虹宏力始終堅持技術創新,持續優化產品組合,在保持智能卡市場競爭優勢的同時,將積極布局物聯網引領的MCU市場,為全球客戶提供高效及高性價比的增值解決方案。”



        關鍵詞: 華虹宏力 晶圓

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