Gartner：2016半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)3435億美元,受惠于內(nèi)存價(jià)格大漲

　　《ZDnet》報(bào)導(dǎo)，周二 (16 日) 調(diào)研機(jī)構(gòu)顧能 (Gartner) 發(fā)布了 2016 年全球半導(dǎo)體市況報(bào)告，英特爾 (INTC-US) 2016 年?duì)I收為 540.9 億美元，市占率達(dá) 15.7%，依然是全球最大的半導(dǎo)體龍頭，而三星電子 (Samsung Electronics) 及高通 (QCOM-US) 則緊追英特爾之后。

　　據(jù)顧能 2016 半導(dǎo)體市況報(bào)告顯示，三星電子 2016 年?duì)I收為 401 億美元，市占率為 11.7% 居全球第二，而高通營(yíng)收則為 154 億美元，市占率為 4.5% 居全球第三。

　　2016 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收、市占率概況 圖片來(lái)源：Gartner

　　顧能半導(dǎo)體研究部門(mén)主管 James Hines 表示，2016 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收為 3435 億美元，與 2015 年相比，年增率再度成長(zhǎng) 2.6%，而 2016 年半導(dǎo)體景氣之所以如此強(qiáng)勁，James Hines 分析，這背后主要是受惠于內(nèi)存價(jià)格大幅上漲、匯率變動(dòng)溫和所致。

　　如下圖所示，據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)《IC Insights》此前計(jì)算，2017 年 DRAM 價(jià)格與上一季相比，季增率大漲了 26%，而若與去年同期相比，DRAM 價(jià)格年增率更是暴漲了 45%;另一方面，NAND Flash 價(jià)格第一季季增率則為 8%，與去年同期相比，年增率亦是狂飆 40%。

　　DRAM 及 NAND Flash 價(jià)格季增率 + 年增率表現(xiàn) 圖片來(lái)源：IC Insights

　　而展望半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)走向，《IC Insights》估計(jì)，雖然 DRAM、NAND Flash 價(jià)格漲勢(shì)將在第二季降溫，但展望 2017 年全年來(lái)看，估計(jì) DRAM 價(jià)格全年漲幅仍將上看 39%，NAND Flash 價(jià)格全年漲幅亦將上看 25%。

　　《IC Insights》認(rèn)為，2018 年之前，內(nèi)存市況仍算較熱，故三星電子 Q2 營(yíng)收估可望大增 7.5% 至 149.40 億美元，一舉超越英特爾 Q2 營(yíng)收估值 144.40 億美元，擠下英特爾成為新一代的全球半導(dǎo)體龍頭。

　　紅：三星電子半導(dǎo)體芯片營(yíng)收 藍(lán)：英特爾半導(dǎo)體芯片營(yíng)收 圖片來(lái)源：IC Insights