挑戰高通霸主地位 英特爾三星推出4G基帶

　　在2017年世界行動通訊大會(Mobile World Congress;MWC)登場前夕,英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronics)分別發表了最新的4G數據晶片,試圖挑戰高通(Qualcomm)主宰的行動晶片廠。而兩家廠商的進攻對高通而言,則是喜憂參半的消息。

　　根據TheStreet報導,幾乎壟斷4G LTE與3G EV-DO數據市場的高通,以IP授權綁架晶片的手段已開始遭到蘋果(Apple)等廠商的反抗。因此英特爾與三星推出新的晶片產品,正好給了高通在面對反壟斷訴訟時一個開脫的說詞。然而另一方面,競爭對手的動作對近來面臨困境的高通行動晶片部門,又可能造成更大的沖擊。

　　英特爾宣布推出名為XMM 7560的2G/3G/4G數據晶片,可支援最大1Gbps下載與225 Mbps上傳速度。XMM 7560采英特爾14奈米制程,比起前一代采28奈米制程的XMM 7480,以及部分iPhone 7/7-Plus使用的XMM 7360更加先進。除了最大下載速度外,XMM 7560的多重載波聚合(Carrier Aggregation)也有大幅的提升。

　　XMM7560是第一個可支援3G EV-DO網路的英特爾數據晶片,而目前包括Verizon、Sprint、中國電信(China Telecom)等多家電信廠商都仍在使用3G EV-DO網路。由此看來,XMM7560很有機會協助英特爾從高通手中搶下更多iPhone市場。

　　Susquehanna預測,如果蘋果為了降低對高通晶片的依賴,而全面采用英特爾晶片,那么高通將可能損失10億至14億美元的年營收,而數據晶片平均價格較低的英特爾,則有機會取得800萬至11億美元的年營收成長。

　　三星即將推出的Exynos 8895行動SoC配備8核心處理器,并支援1Gbps的最大下載速度。Exynos 8895與高通旗艦SoC Snapdragon 835一樣,都采三星最先進的10奈米制程。Exynos 8895的多重載波聚合也比前一代Exynos 8890有所提升。

　　Snapdragon 835與Exynos 8895預計都將使用在三星Galaxy S8上。高通之所以選擇三星而非以往的臺積電生產其最新旗艦SoC,可能就是與三星協商后的結果。然而三星的4G數據技術,也對高通造成了不小的威脅。三星最終可能會減少高通SoC的使用,或以此做為議價的籌碼。

　　高通最新發表的Snapdragon X20,擁有1.2Gbps最大下載速度與5x多重載波聚合,但要等到2018年上半才會開始出貨,因此將不會使用在2017年推出的蘋果或三星旗艦機上。

　　高通MSM晶片部門在2016年第4季的出貨量,較前1年少了10%,并可能在2017年第1季下跌2%至13%。蘋果與英特爾的結盟、智慧型手機市場成長減緩,以及聯發科、展訊等亞洲低價晶片的競爭,都對高通晶片部門造成不小壓力。

　　除了功耗、尺寸上較820進步外,Snapdragon 835也瞄準了智慧型手機、平板之外的無人機、VR/AR頭盔、筆記型電腦等應用,因此被看好帶動高通在2017年的發展。

　　另外,高通還準備投入470億美元買下恩智浦半導體(NXP Semiconductor)。此舉將能減少公司對行動晶片業務的依賴。而英特爾打算縮減行動研發預算,也給了高通稍微喘口氣的機會。