新聞中心

        EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > 臺積電的“12nm”工藝有什么改進? NVIDIA成首家客戶

        臺積電的“12nm”工藝有什么改進? NVIDIA成首家客戶

        作者: 時間:2017-03-16 來源:芯智訊 收藏
        編者按:目前16nm工藝仍然是臺積電的主力。不過,很快傳聞中的臺積電“12nm”也即將出爐。

          雖然,很早就說自己的的10nm工藝已進入量產,但是到目前為止,還沒有一款基于10nm工藝的終端產品正式發布。此前有消息稱在10nm良率上遇到了一些問題。所以,相應終端產品的面世可能還需要一段時間。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201703/345293.htm

          根據最新的消息顯示,針對自動駕駛及AI運算市場所推出的Xavier SoC處理器當中的新一代Volta GPU,將使用臺積電的“12nm”工藝,預計最快將在今年下半年量產。

        臺積電的“12nm”工藝有什么改進? NVIDIA成首家客戶

          不過需要注意的是,臺積電的12nm工藝跟GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝不同,它實際上是現有16nm工藝的改進版。

          據爆料,臺積電即將推出的所謂的12nm,其實是現有16nm工藝的第四代縮微改良版本,具有更低的漏電流及成本,并且線寬微縮能力已領先三星14nm。而改稱12nm的目的是反擊三星、GlobalFoundries、中芯國際等對手的14/12nm工藝優勢,牢牢控制10-28nm之間的代工市場。

          其實這樣的數字游戲在半導體行業由來已久,最開始是三星在與臺積電的競爭當中搶先將推出了14nm(實際上20nm工藝),所以隨后臺積電隨后也被迫跟進玩起了數字游戲。

          然而這樣一來,GlobalFoundries去年推出的12nm FD-SOI工藝就變得有點尷尬了。

          資料顯示,GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝能夠以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。支持全節點縮放,性能比現有FinFET工藝提升了15%,功耗降低了50%。而掩膜成本則比少于10nm FinFET工藝減少40%!

          也就是說,GlobalFoundries在成本、功耗等方面都要優于臺積電的16nm。但是現在,臺積電的第四代16nm也改名叫“12nm”了,顯然這在宣傳和營銷上給人的感覺是二者在工藝水平上沒有什么區別。而且,臺積電的招牌比GlobalFoundries也要更響一些。另外,GlobalFoundries的12nm FD-SOI的量產時間可能要比臺積電的“12nm”更晚,這些都將使得GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝在后續的市場競爭當中可能將處于被動的局面。



        關鍵詞: 臺積電 NVIDIA

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 红河县| 江孜县| 常州市| 肥西县| 普陀区| 西贡区| 武鸣县| 台北县| 济宁市| 正安县| 花莲市| 天祝| 郎溪县| 潍坊市| 来凤县| 梁山县| 龙川县| 会理县| 叙永县| 桐柏县| 临夏县| 余庆县| 新密市| 五河县| 洛川县| 梁平县| 通化县| 华亭县| 龙游县| 蓝田县| 南丰县| 拉孜县| 高淳县| 湘阴县| 汉沽区| 泰宁县| 夏津县| 留坝县| 垣曲县| 朝阳市| 晋江市|