中國半導體存儲行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

　　(二)固態(tài)硬盤驅(qū)動未來Flash需求，路線不同帶來多元競爭

　　Flash Memory屬于非易失性存儲器，產(chǎn)品出現(xiàn)的時間晚于DRAM，需求驅(qū)動主要來自于隨著CPU和內(nèi)存速度持續(xù)提升后，磁盤和光盤的讀寫速度和集成度遠遠沒有辦法滿足需求，因此人們開發(fā)以半導體集成電路工藝來制造可以長期保存數(shù)據(jù)的存儲產(chǎn)品。

　　1、起步晚于DRAM，NAND和NOR兩種構建延續(xù)至今

　　1967年施敏博士與韓裔美國人姜大元在《貝爾系統(tǒng)科技期刊》發(fā)表了一篇關于非揮發(fā)性內(nèi)存的論文“浮閘非揮發(fā)性半導體內(nèi)存細胞元件”第一次闡述了閃存存儲數(shù)據(jù)的原理技術。舛岡富士雄博士在1984年于東芝公司工作時發(fā)明了Flash存儲技術，1998年，Intel推出第一款商業(yè)性的NORFlash芯片，1989年的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)上，東芝發(fā)表NANDFlash的芯片結(jié)構，NOR和NAND規(guī)格的Flashmemory一直沿用至今。

　　FlashMemory的規(guī)格相較于DRAM簡單，主要為NOR和NAND型兩種，主要區(qū)別在于記憶單元間的內(nèi)部連接結(jié)構。NOR內(nèi)部記憶單元以平行方式連接到比特線，允許個別讀取與程序化記憶單元。NAND內(nèi)部記憶單元以順序方式連接，只能允許頁訪問。由于NAND的順序連接方式，降低了所需的空間，進而降低了產(chǎn)品的成本。

　　Flash Memory的兩種結(jié)構多年以來一直延續(xù)，直到2015年美光和Intel提出了3DXPoint。而東芝推出的3DNAND則是在2DNAND的架構上在三維空間的堆疊。

　　2、移動終端固態(tài)硬盤成為行業(yè)重要推手

　　Flash Memory市場中，NAND產(chǎn)品憑借其在成本方面的優(yōu)勢，占據(jù)的主要的市場份額，2015年全年NAND占到整個FlashMemory銷售額的90%以上。根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，NANDFlash在過去的12個季度中，銷售收入的走勢也是基本與存儲器市場一致，供過于求的局面導致了產(chǎn)品銷售價格的下降。

　　我們還可以看到NAND FlashMemory的價格變動趨勢與DRAM類似，在過去的一個季度中經(jīng)歷了明顯的反彈趨勢，傳統(tǒng)旺季的季節(jié)效應推動了存儲器產(chǎn)品市場的需求提升，以消費電子和移動通信設備為主要終端需求的Flash Memory在市場的本輪補庫存行情中獲得了顯著的訂單增長。

　　從產(chǎn)品的下游應用市場看，F(xiàn)lash Memory的主要需求來自于智能手機和平板電腦的內(nèi)部存儲，以及伴隨著SSD固態(tài)硬盤在個人電腦和服務器終端的應用推動。智能移動終端市場方面，隨著運算處理器和應用程序的復雜度提升，對于存儲空間的要求持續(xù)增加進而推動了Flash Memory的需求提升。同時，SSD固態(tài)硬盤憑借其響應速度的優(yōu)勢在個人電腦和服務器領域的滲透率持續(xù)提升，也為Flash Memory市場的發(fā)展提供了動力。

　　3、競爭格局/產(chǎn)能分布

　　Flash Memory的芯片有NAND和NOR兩種結(jié)構方案，盡管應用市場廣泛，但是在產(chǎn)品規(guī)格方面的同質(zhì)化特性依然較為明顯，與DRAM類似規(guī)模效應帶來的競爭優(yōu)勢也成為新進入者的有效壁壘，并且在行業(yè)面臨整合的時候，規(guī)模較大的企業(yè)生存機會更高。根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，三星、東芝、閃迪、美光、海力士占據(jù)市場前五位，2015年占比分別為32%、19%、15%、15%和11%。

　　從產(chǎn)業(yè)模式看，F(xiàn)lash Memory行業(yè)中代工模式的規(guī)模占比略高于DRAM存儲器，部分8寸晶元代工廠為Flash Memory的廠商提供服務，但是我們?nèi)匀豢梢躁P注以IDM模式為主的廠商的產(chǎn)能狀況。

　　由于晶元代工廠商在Flash Memory市場擁有相應的生存空間，因此我們可以看到，未來新增加的產(chǎn)能規(guī)模將會主要集中在包括3D NAND等新產(chǎn)品方面。