美光3D NAND將殺到！打破三星獨霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)
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TechRadar、ComputerWorld報導，美光9日宣布開發(fā)出該公司第一款3D NAND晶片，采48層堆疊，容量為32GB。這款3D NAND將用于中高階智慧機，支援全新的儲存標準UFS2.1。
美光宣稱，新品效能比前代提升40%，尺寸更是業(yè)界最小，美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒，體積縮小30%。新品已送樣給行動裝置廠，預定今年底廣泛出貨。
美光行動業(yè)務(wù)部門發(fā)言人Dan Bingham說，該公司第二代3D NAND將為64層，研發(fā)時程尚未公布。為了支援虛擬實境和串流影片需求，行動裝置的記憶體容量不斷增加，美光預估，2020年智慧機的內(nèi)建記憶體或許會有1TB，和電腦差不多。
巴倫(Barronˋs)9日刊出Pacific Crest報告，內(nèi)容預測3D NAND時代將要到來。報告稱，英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會上市。估計第3、4季3D NAND產(chǎn)品將會大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒，東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
Pacific Crest認為，3D NAND戰(zhàn)役中，美光情勢有利。該公司的3D NAND盡管層數(shù)較少，但是密度高，而且美光無可損失。
南韓三星電子為全球第一家量產(chǎn)3D架構(gòu)NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的廠商，不過NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布領(lǐng)先全球同業(yè)、研發(fā)出堆疊64層的3D Flash產(chǎn)品，且進行送樣。
東芝7月27日新聞稿宣布，已研發(fā)出64層的3D Flash制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于7月完工的四日市工廠“新第2廠房”進行生產(chǎn)。
競爭對手急起直追，三星電子冒冷汗，將豪擲17兆韓圜(150億美元)，研發(fā)3D NAND flash和OLED，鞏固領(lǐng)先優(yōu)勢。
南韓先驅(qū)報7月29日報導，三星電子今年下半還有17.2兆韓圜的研發(fā)經(jīng)費，這筆錢會用在哪邊?三星高層Lee Myung-jin給出方向，聲稱由于需求飆升，今年將專注于3D NAND和OLED面板。三星是頭一個開發(fā)出3D NAND flash業(yè)者，目前仍是唯一有能力量產(chǎn)48層3D NAND flash的業(yè)者，為防對手搶單，今年三星將在南韓京畿道工廠增加更多產(chǎn)線。
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