全球半導體搶攻7納米 各大廠商表現大不同

　　在全球晶圓代工廠積極搶攻 7 納米先進制程，都想在 7 納米制程領域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營臺積電 (TSMC) 、三星、以及由 IBM 提供協助的格羅方德 (GlobalFoundries) 誰最后終將出線，結果將牽動全球半導體市場的生態。

　　根據外媒表示： 2016 年晶圓代工的主流制程是 14 及 16 納米的 FinFET 制程，其主要業者包含了英特爾 (Intel) 、臺積電及三星 / 格羅方德三大陣營，而且戰場延伸到下一代 10 納米先進制程，同樣的此三大陣營都宣布將在 2017 年量產。不過，由于 10 納米制程主要針對低功耗移動芯片的生產。因此，更先進一代的 7 納米才被認為是首次突破 10 納米極限的高性能先進制程，而也是三方爭搶的重點。

　　目前，臺積電及三星都準備在 7 納米先進制程上搶先發，而在此前缺席了的格羅方德這一次決定擺回劣勢，誓言在 7 納米制程領先。不過，過往在 14 納米及 10 納米都有參與的英特爾，在 7 納米制程上表態很謹慎。因為要與臺積電與三星競爭 3 個世代以上的制程，使得英特爾的 7 納米制程至少要等到 2020 年才有機會量產。但是，相對于英特爾而言，臺積電和三星就顯得積極許多。

　　在三星的部分，前不久投資鉅資購入了 EUV 光刻機，希望在 2017 年開始試產 7 納米制程，而臺積電則是透過 CEO 劉德音表態指出，7 納米制程的 SRAM 良率已經達 30% 到 40% ，將會是業界首家通過 7 納米制程認證的半導體公司。至于，過去在 14 納米制程時代，進度落后三星及臺積電的格羅方德，雖放棄自行研發 14 納米制程技術，改轉而選擇了三星 14 納米的 FinFET 制程技術授權。不過，2014 年在收購了 IBM 的晶圓廠業務之后，格羅方德希望急起直追，在 7 納米制程上拔的頭籌。

　　據了解，格羅方德在收購 IBM 的晶圓廠業務中獲得了大量有經驗的員工，這對推動新制程研發很有幫助。而且，2015 年 7 月份，格羅方德聯合 IBM 、三星及紐約州立大學已經率先推出了 7 納米制程，使得格羅方德逐漸成為一股在晶圓代工業務上不可忽視的力量。日前格羅方德的CTO，高級副總經理 Gary Patton 表示，他們的 7 納米制程進展已經積極的縮減了新制程的門檻距離。

　　Patton 表示，目前格羅方德在紐約州馬爾他市的晶圓廠正在量產 14 納米制程，這為他們開發更先進的工藝奠定了基礎。而對于 7 納米制程，Patton 表示即便沒有 EUV 工藝，他們的新制程也能降低晶圓成本。按照 Patton 的預計，格羅方德的 EUV 制程預計會在 2018 年或 2019 年會少量投產，并且于 2020 年正式量產。