迎接先進通訊技術商機 Soitec宣布12吋晶圓大量制造RFeSI芯片

　　法國絕緣層上覆矽(SOI)晶圓制造和供應商Soitec宣布將以12吋晶圓制造先進的RFeSI產品，此舉主要是為了擴大射頻前端模組(RFFEM，或簡稱FEM)，也就是處理無線電接收器和天線訊號的芯片產量。

　　AdvancedSubstrateNews報導，采用先進SOI技術制造的FEM已經應運在所有智能型手機上，截至目前止，RFFEM都是以8吋SOI晶圓制造，但隨著需求持續增加，以及4GLTE-A(以及之后的5G)逐漸普及，RF-SOI(射頻絕緣層覆矽)未來展望看俏，因而需要更大型的晶圓來生產。

　　Soitec握有許多相關技術及8吋晶圓RF-SOI制造經驗，量產12吋SOI晶圓對Soitec也非新鮮事。不過，最新加入產品線的先進RFeSI90晶圓要求更創新的技術，Soitec多年前與倫敦大學學院(UCL)合作找出突破瓶頸的方式，以便催生更高度整合的IC，為先進的4G/LTE通訊，乃至于新世代無線技術包括5G應用鋪路。

　　Soitec現在邁入12吋晶圓制程，其SOI基板同時容納了天線轉換器、調整器和部分功率放大器，以及智能型手機和相關移動裝置的Wi-Fi電路。事實上，Soitec的新技術已獲多數主要RF半導體廠采用，借此來降低成本、提高效能和整合3G和4G/LTE。

　　Soitec旗下通訊和電力事業資深副總裁BernardAspar表示，最新12吋RF-SOI技術提升Soitec制造產能，客戶不僅可改善效率，有了更大型晶圓的制造廠做后盾，生產線也多了更多的調整空間。

　　不過，8吋RF-SOI晶圓目前需求仍強勁，因此Soitec在投入更先進的12吋RF-SOI生產之際，也提高8吋晶圓產能。2015年秋季Soitec宣布決定與大陸上海新傲科技合作，利用Soitec的SmartCut技術為該公司在大陸客戶，以及全球OEM客戶制造SOI晶圓。

　　Soitec過去18個月以來已送出12吋RFeSI90樣品進行產品認證，對于新的12吋RF-SOI產品達到新里程碑和杰出表現助益良多。事實上，為了確保客戶得到想要的產品效能，Soitec工程師甚至開發出新的方式，以預測該公司晶圓產品效能。