為強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)品性能 東芝也是拼了

　　據(jù)日媒報(bào)道，東芝公司為強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能，將對(duì)日本四日市的工廠實(shí)施擴(kuò)建，預(yù)計(jì)花費(fèi)數(shù)千億日元，閃迪公司將與東芝各承擔(dān)一半擴(kuò)建費(fèi)用。

　　據(jù)悉，東芝目前已就獲得相關(guān)用地展開(kāi)調(diào)整，最快將在2017年開(kāi)工投產(chǎn)，而工廠擴(kuò)建的最終投資額將根據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)情況作出判斷。

　　半導(dǎo)體作為東芝的核心業(yè)務(wù)，其強(qiáng)化性能的產(chǎn)品主要是用于智能手機(jī)的“NAND閃存”，東芝將對(duì)存儲(chǔ)量大幅提升的產(chǎn)品實(shí)施增產(chǎn)。

　　需要說(shuō)明的是，NAND型閃存是東芝的主力產(chǎn)品，市場(chǎng)占有率僅次于韓國(guó)三星電子，位居世界第二，東芝與閃迪每年各投資2000億日元(約合人民幣112億元)用于提高產(chǎn)品性能。