瑞薩攜手松下合作開發擴展45nm系統級芯片工藝

松下電器產業有限公司（Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.）與瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）日前宣布，兩家公司已開始對45nm SoC（系統級芯片）半導體制造技術進行全面整合1 測試。該工藝技術是業界第一次利用1.0以上的數值孔徑（NA）和ArF（氬氟化物）浸入式微影系統2進行的全面整合。兩家公司于2005年10月開始實施45nm結點工藝開發項目，且早在1998年就在上一代工藝開發方面進行了合作。

預期目前的聯合開發項目將在2007年6月完成，開始投入量產的時間是2008財年。新的45nm工藝將用來制造松下和瑞薩用于先進移動產品和網絡消費類電子產品的系統級芯片。除了先進級的ArF浸入式光刻外，兩家公司還計劃在開發項目中采用其他新技術，包括引入應力的高遷移率晶體管3和ELK（K = 2.4）多層布線模塊4。

兩家公司首次合作開發下一代SoC技術是在1998年，還是在瑞薩科技成立之前。這個新項目是雙方從2005年10月開始合作的第五階段的一部分。給人留下深刻印象的記錄包括，2001年完成的130nm DRAM融合工藝、2002年的90nm SoC工藝，以及2004年的90nm DRAM融合工藝和2005年的65nm SoC工藝結點開發項目。

未來，松下與瑞薩將繼續高效合作開發先進技術，利用雙方積累的技術和建立在信任基礎上的緊密合作關系，充分利用開發資源和分享技術信息。