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        陸首群:英特爾必能修成正果

        —— 兩款技術將助其贏得市場
        作者: 時間:2011-06-15 來源:IT商業新聞網 收藏

          近日,美國市場研究公司In-Stat首席技術策略官吉姆·麥克格雷格表示,英特爾產品在2014年不一定獲得競爭力,或是能夠引領市場的方向。但是對此,中國開源軟件推進聯盟主席陸首群教授認為,英特爾只要持續努力,必成正果。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/120455.htm

          近日,英特爾技術與制造事業部副總裁MikeMayberry又公布了英特爾工藝路線圖:他們在采用FinFET技術基礎上,計劃于2011年攻克制程22nm(2012年上半年實現量產),2013年攻克14nm,2015年10nm(估計此時功耗可達0.1-0.2W),2017年7nm(估計此時功耗可達0.05-0.075W)。

          陸首群教授稱,按照英特爾加快轉身的工藝路線圖,我們可以相信,自2012年始,其X86架構22nm的FinFET處理器技術(Atom平臺)可大量支持平板電腦和智能手機進入移動設備市場;X86與ARM兩種架構,FinFET與FDSOI兩種技術將在移動設備市場上長期并存,激烈競爭;英特爾又指出,除采用3-D三柵極晶體管技術外,還將開發并推出光學互連,計算光刻、高密度內存、納米線等新技術,而英特爾將依靠這些持續推出的系列創新技術(真正體現英特爾的技術實力),來支持其在移動芯片市場上的競爭和發展。ARM系制造商(高通、NVidia、TI、Marvel及蘋果等)采用FDSOI技術,并采用精密制程和多核工藝,迎接來自英特爾的挑戰。



        關鍵詞: Intel 半導體

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