臺積電將加入國際半導體工藝研發聯盟

　　《日本經濟新聞》日前報導，日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電，將加入一個由日本主導、從事新世代芯片制程技術開發的國際聯盟。該聯盟預計這個月開始研發 EUV (超紫外光) 微影技術，目標在 2015 年底前結束。企業成員將運用這項技術增進自家產品的表現，如閃存和系統芯片等。

　　此外，全球市占具一定份量的日本半導體材料業者，包括 Asahi Glass Co.(5201-JP)、Shin-Etsu Chemical Co.、Hoya Corp.、Fujifilm Holdings Corp. 與 Nissan Chemical Industries Ltd. 等，也將加入該聯盟。聯盟成員將派遣約 40 名工程師，在日本茨城縣的一座研發中心進行合作。

　　荷蘭 ASML Holding NV 計劃在 2012 年推出 EUV 微影設備，日本在設備和材料的開發上已居于落后。該聯盟的目標，是發展出電路寬度 20 奈米以下的芯片制程技術。東芝 (6502-JP) 未來 3-5 年需以 EUV 微影技術來生產快閃記憶芯片，但顧慮自行研發成本太高，遂號召材料廠及外國芯片業者組成聯盟，并找來日本經產省支持。

　　瑞薩為了降低成本，已打算將線寬28 奈米或以下的所有芯片生產外包，加入聯盟的主因則是要了解技術。