臺積電：成本下降構架成熟后會導入3D晶體管

　　英特爾日前宣布完成芯片技術重大突破，將導入三維晶體管的芯片技術在22 納米制程生產新款微處理器。臺積電研發資深副總經理蔣尚義對此表示，在成本下降、上下游技術架構建立后，臺積電即會導入三維晶體管。

　　2002年英特爾即投入三閘門(Tri Gate)的三維晶體管技術研發，經過多年的研究，日前終于突破技術瓶頸，預定在今年導入22納米制程生產新款微處理器，且所產出的芯片，具備低電壓及低耗電等特性。

　　由于英特爾發表的時間正是臺積電舉行年度的技術論壇之際，負責臺積電先進制程技術研發的蔣尚義在向合作伙伴介紹臺積電各制程進度時，也以英特爾這項成果，強調是延伸摩爾定律的一項重大突破。

　　蔣尚義強調，臺積電很早投入這項技術研發，不過因臺積電是提供晶圓代工服務，目前這項技術成本仍然相當昂貴，而且包括電子工程自動化(EDA)、制程設計套件及芯片驗證等上下游技術架構建立還不夠完善，臺積電將不會在20納米先進制程跟進采用這項技術，評估可能到14納米才會導入。

　　蔣尚義強調，依照摩爾定律，若只單純追求芯片微小化，不到幾年，就會遭遇很大瓶頸。不過，透過系統微縮化，藉由新技術，可以達到晶圓微小化又能兼具高容量的要求，摩爾定律可由目前的28納米再推進到7納米。他表示，臺積電研發重心已移到20納米制程，依照臺積電技術藍圖，內部規劃明年下半年進行20納米制程試產。