臺積電稱3D晶體管技術基礎條件尚不成熟

　　臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡稱：臺積電)周四表示，在2D芯片容量達到極限之前，公司不會啟用3D晶體管技術生產半導體，而且3D技術的基礎條件尚不成熟。

　　英特爾(Intel Co.,INTC)周三稱，公司將一改在矽晶圓上創建2D集成電路的標準做法，轉而采用3D晶體管生產技術。

　　英特爾表示，利用3D晶體管比簡單采用新一代生產技術益處更多。

　　分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多被高增長的智能手機市場拒之門外。

　　臺積電目前采用28納米技術生產芯片，該公司計劃在2013年轉用更先進的20納米技術。

　　臺積電研發部資深副總裁蔣尚義表示，自2003年以來公司一直在研發3D晶體管，但目前3D晶體管技術的工具和設計都還不成熟。

　　蔣尚義還稱，當公司采用比20納米制程更先進的芯片生產技術，而2D晶體管的容量已達到極限，才會考慮采用3D晶體管。

　　按收入計，臺積電是全球最大的芯片代工企業。