臺積電推出智能手機/平板電腦芯片新工藝

　　臺積電在近日舉行的臺積電2011技術研討會上推出了業界首個專為智能手機、平板電腦芯片優化的制程工藝。

　　臺積電研發部高級副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)表示，新制程技術隸屬于28納米工藝，名為28HPM(高性能移動制程工藝)，專為智能機、平板電腦及其相關產品的芯片設計。

　　臺積電新制程工藝可能是為蘋果產品而設計，此前有傳聞稱臺積電將為蘋果代工下一代A5處理器芯片。除蘋果外，臺積電還可能將新工藝用于智能機和平板電腦領域的其他廠商產品，比如英偉達、高通。當被問及28HPM工藝是否專為單一客戶而設計時，蔣尚義表示新工藝適用于基于ARM架構的處理器芯片。

　　臺積電目前擁有3種28納米制程工藝：第一種是基于硅氧化物柵層疊(gate-stack)技術的低功耗CLN28LP工藝;另外兩種則是基于第一代HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)工藝技術，一個是低功耗CLN28HPL工藝，另外一種是高性能CLN28HP工藝。

　　蔣尚義稱，臺積電的HKMG技術已經通過了完全可能性認證，并正向兩家客戶出貨晶圓原型品。他還否認了業界關于臺積電28納米技術延期的報道，蔣尚義說：“我們沒有耽誤任一客戶。”

　　在進入20納米工藝之前，臺積電還將推出另外一種28納米工藝CLN28HPM。新工藝同樣基于第一代HKMG技術，它可使得應用處理器和相關產品的主頻遠高于1.8GHz(功耗440毫瓦)。

　　和其它28納米工藝一樣，CLN28HPM核心電壓在0.9伏，可支持1.8伏、2.5伏的I/O電壓，將于今年四季度量產。臺積電還再次提到了此前宣布的幾種20納米制程，這包括CLN20G(20納米通用制程)和CLN20SOC，它們均基于臺積電HKMG制程，其中CLN20G定于 2012年第四季度試產，而CLN20SOC則定于2013年第二季度試產。