應用材料公司拓展RFPVD技術(shù)實現(xiàn)22納米晶體管觸點制造

　　近日，應用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系統(tǒng)的應用組合，實現(xiàn)了鎳鉑合金(NiPt)的沉積，將晶體管觸點的制造擴展至22納米及更小的技術(shù)節(jié)點。晶體管觸點上的高質(zhì)量鎳鉑薄膜對于器件性能非常關(guān)鍵，但是在高深寬比(HAR)的輪廓底部沉積材料是一個極大的挑戰(zhàn)。為確保觸點阻抗的一致性和最佳產(chǎn)品良率，Avenir系統(tǒng)為HAR深達5:1的觸孔提供了超過50%的底部覆蓋，其單片晶圓的成本比應用材料公司之前市場領先的系統(tǒng)最多可降低30%。

　　應用材料公司副總裁兼金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Prabu Raja表示：“通過把這個標桿性RF PVD技術(shù)的應用進一步拓展，應用材料公司繼續(xù)鞏固其在先進金屬化解決方案領域內(nèi)的領先地位。應用材料公司的RF PVD技術(shù)為芯片制造商提供了一個低風險的路徑，使用已經(jīng)通過生產(chǎn)驗證的技術(shù)最大限度減少開發(fā)時間，制造功能強、阻抗低的晶體管觸點。Avenir系統(tǒng)已在多個邏輯芯片和晶圓代工客戶的觸點制造中得到了應用和高度認可。

　　2010年，應用材料公司推出了這種基于極其成功的Endura平臺的突破性射頻增強物理氣相沉積技術(shù)，使芯片制造商可以在他們最先進的高性能邏輯器件中集成最新的金屬柵晶體管技術(shù)。Avenir RF PVD系統(tǒng)針對觸點應用，集成了更強的射頻源，使制造商能夠在又窄又深、直徑小于30納米的觸孔中沉積高度一致的鎳鉑層，這種能力對于減少觸點阻抗、優(yōu)化晶體管性能是至關(guān)重要的。