日本電子信息領域技術戰略地圖（一）半導體技術子領域
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2、（大項目）設計（SoC設計）
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中項目
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中項目細分（小項目）
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設計內容
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模塊間通信技術
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多處理器技術
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可重復配置邏輯
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系統層次設計、核查
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高級建模技術
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¨ 系統建模
¨ 事務級建模
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合成、優化技術
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核查技術
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性能、成本估算技術
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魯棒性系統技術
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硅芯片實現技術
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系統的復合化技術
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低耗電設計
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變異評價技術
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考慮制造性的設計（DFM、DFR、MASK）
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混合模擬數字技術
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IP Bus設計
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IP庫的設計
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電路設計
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¨ 電路仿真技術
¨ 器件建模技術
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3、（大項目）制造技術
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中項目
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中項目細分（小項目）
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基礎設備技術
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實時流程監控技術
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高精度仿真技術（裝置內的復雜現象的模型）
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高精度仿真技術（流程破壞復雜現象的模型）
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有機物分析技術
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裝置內現象測量技術
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工廠集成技術
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晶圓設備控制技術
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¨ 綠色工廠可視化技術
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4、（大項目）流程技術
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中項目
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中項目細分（小項目）
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晶體管的形成流程
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柵層疊形成技術
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源漏退火技術
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源漏淺接合形成技術
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源漏接觸形成技術
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元件分離技術
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清洗技術
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新的清洗技術
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硅基板
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大尺寸晶圓制造技術
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流程仿真技術
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對應新流程的仿真
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5、（大項目）光刻技術
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中項目
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中項目細分（小項目）
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曝光設備技術
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主流生產技術
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¨ ArF浸入式曝光設備技術
¨ ArF浸入式曝光／間隔技術
¨ EUV曝光設備技術
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新技術
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¨ ML2（無光罩光刻）
¨ NIL（壓印光刻）
¨ DSA（直接自我聚合）
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光罩技術
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缺陷檢測設備技術
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缺陷修正技術
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數據處理技術（OPC、RET、MDP、MRC等）
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高效制備技術
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光阻流程技術
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材料技術（光阻、增透膜、收縮、光阻頂層涂敷）
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浸入式曝光技術
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雙重圖形（Pitch Splitting/Spacer）技術
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光刻集成技術
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資源模擬技術
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綜合的最優化技術
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6、（大項目）SoC開發／制造工程的工程化
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中項目
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中項目細分（小項目）
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開發平臺
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設計方法的結構化和標準化
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流程開發的結構化和標準化
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制造集成控制平臺
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成本、引用、質量的建模
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綜合性的判斷功能
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分層控制信息
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工程控制技術（實現了單晶片的的分層傳輸控制技術）
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¨ 分層的傳輸技術
¨ 晶圓單元傳輸控制技術
¨ 單晶圓芯片的追蹤技術
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設備控制技術
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¨ OEE設備建模/監控技術
¨ 設備、流程建模技術
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流程控制技術
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¨ 工藝建模技術
¨ 根據建模對分層設備、流程的的控制技術
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質量控制技術
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¨ 產量建模技術
¨ 產量監控技術
¨ 最佳檢測技術
¨ DFM和APC的融合技術
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7、（大項目）評價、分析技術
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中項目
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中項目細分（小項目）
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測量技術
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微型化形狀測量、性能評價技術
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¨ 模式測量技術（晶片）
¨ 疊加(overlay)誤差測量技術
¨ 柵極形狀測量（2D、3D）技術
¨ 薄膜厚度測量技術(絕緣膜、金屬多層膜)
¨ 界面、表面評價技術
¨ 摻雜分布測量技術
¨ 工作職能評價技術
¨ 溝槽形狀測量技術（2D、3D）
¨ 薄膜厚度測量技術（絕緣膜、Barrier/Seed膜、金屬膜）
¨ 平坦度測量技術
¨ 孔徑的測量、機械特性測量技術
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新材料評價技術
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¨ 物理上的特性評價技術
¨ 化學上的特性評價技術
¨ 機械上的特性評價技術
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產量提高技術
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缺陷監測、分析技術
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¨ 缺陷檢測技術（電子束方式、光學方式）
¨ 缺陷審查技術
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物理解析技術
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¨ 檢查數據鏈接、分析孔加工技術
¨ 截面觀察、結構、元件分析技術
¨ 結構、界面解析技術
¨ 化學結合、元件分析技術
¨ 本地探測技術
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產量模型的高精確化
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¨ 隨即缺陷產量模型
¨ 光刻造成的系統性缺陷產量模型
¨ 允許污染模型
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8、（大項目）配線技術
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中項目
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中項目細分（小項目）
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微型化技術
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多層配線技術
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¨ 銅沉積技術（電鍍、PVD、CVD）
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絕緣膜技術
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¨ 固化技術
¨ 高機械強度技術
¨ 氣隙技術
¨ 孔密封技術
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配線材料技術
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¨ 金屬屏障技術（PVD、ALD、CVD）
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可靠性技術
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¨ 電轉移（EM）改善技術
¨ 應力轉移（SM）改善技術
¨ 配線可靠性（TDDB）改善技術
¨ 配線變異（LER、阻抗）降低技術
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配線建模技術
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¨ 配線建模技術
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新配線技術
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直通硅晶穿孔封裝（TSV）
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¨ 用于晶圓片鍵合的薄型晶片
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新配線材料技術
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¨ 碳納米管孔
¨ 碳配線技術
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通過光和RF信號傳輸技術
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¨ 硅納米光子配線技術
¨ 芯片上RF信號傳輸技術
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印刷電路技術
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¨ 印刷電路技術
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9、（大項目）裝配技術
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中項目
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中項目細分（小項目）
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裝配流程
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單個芯片裝配多插針化
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¨ 晶片級封裝
¨ Low-k/Cu對應技術
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系統級封裝
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¨ 同種芯片的三維芯片層
¨ 持有不同性能的半導體芯片的裝配
¨ TSV方式連接技術
¨ 非接觸式連接技術
¨ 光連接技術
¨ 晶圓堆疊技術
¨ 內置基板
¨ 不同設備、光、部品之間的組合
¨ 確好芯片（KGD）技術
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裝配設計
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統合設計平臺技術
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¨ 芯片／包／木板連攜設計工具
¨ 電氣／熱／結構耦合分析技術
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10、（大項目）測試技術
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中項目
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中項目細分（小項目）
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離散傅里葉變換
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高級離散傅里葉變換（DFT）
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測試數據壓縮
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內建修復分析（BIRA）、內建自修復（BISR）
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模擬數字混合
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測試、故障分析
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故障診斷
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對應于缺陷的測試
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考慮到噪聲和功率的測試
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測試環境
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基于標準的測試環境
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（二）、非CMOS技術
1、（大項目）分立器件
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中項目
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中項目細分（小項目）
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功率器件
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硅功率器件
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帶隙半導體功率器件
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2、（大項目）納米電子器件
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中項目
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中項目細分（小項目）
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納米CMOS的延長（自組織過程晶體管）
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薄片晶體管
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納米線晶體管
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納米晶體管
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Beyond CMOS
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共振管道器件
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有機分子器件
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單電子器件
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超導器件
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自旋晶體管
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強磁性邏輯器件
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強相關電子器件
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電路重構開關
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Beyond CMOS和Si CMOS的融合技術
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量子計算器件
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