18寸晶圓量產時間再后延

　　在金融海嘯后，12寸晶圓需求快速成長，正式躍居市場主流，下一世代18寸晶圓的發展亦備受各方矚目，尤其英特爾將于新晶圓廠中，支持18寸晶圓技術，臺積電也呼吁設備發展加速，不過，正是由于設備發展速度趕不上進度，加上成本仍太高，讓18寸晶圓邁入量產的時間點，恐怕再往后延。

　　2008年時，臺積電與英特爾、三星電子(Samsung Electronics)三大半導體巨頭達成共識，宣布將于2012年進入18寸晶圓世代，進行試產。至于2012年的時間點推算，主要由于半導體過去約以10年作為1個世代交替，1991年全球第1個8寸廠投入量產，2001年12寸晶圓廠也導入生產，因此推估18寸晶圓廠將于2012年問世，距今僅剩約1年左右時間。

　　然而，過去兩三年間，受到景氣不振影響，不只半導體廠縮減資本支出，半導體設備商更是受損慘重，尤其18寸晶圓設備造價不斐，也讓許多設備廠裹足不前。隨著景氣回升，半導體設備廠對于投資開發18寸晶圓的設備意愿回升，不過由于投資金額龐大，未來仍將是相當大的挑戰。

　　2010年底，半導體大廠英特爾(Intel)首度證實，將于新晶圓廠D1X5支持18寸晶圓技術，顯示英特爾在18寸晶圓研發腳步上已有長足的進展。

　　臺積電指出，關于18寸晶圓的發展樂見其成，并且希望業界發展能夠加速，若能符合成本投資效益，就能導入生產。臺積電最新的Fab15是以12寸廠來規劃，未來的Fab16則尚未規劃，但若18寸晶圓發展能趕上，新廠房都保留彈性，視情況可做兼容18寸晶圓的規劃。

　　業界指出，從過去經驗來看，越大尺寸的晶圓產出的確有其效益，不過其效益恐怕并不如過去來的大。國際半導體設備暨材料協會(SEMI)指出，根據合理的分析，晶圓尺寸升級原本應使晶圓面積增加至2.25倍，但是實際只能帶來1.24倍的乘數效益，僅為樂觀期待的50%。

　　SEMI進一步指出，造成效益不如以往，主要是由于物理的限制，先進制程的微影和布植技術分別利用光束和離子束掃描，生產速度能夠提升的幅度有限，每一片晶圓處理的時間將延長，因此大大抵銷晶圓面積增加的乘數效益。另外，量測和檢驗的程序也是利用特定的物理方法，以掃描的方式來進行。總而言之，18寸晶圓設備的產能其實和12寸等級的不相上下，成本卻將高出1.3倍。

　　業界也正在發展次世代的微影技術，希望能延續12寸晶圓的發展，業界計畫在32納米元件時配合升級成18寸晶圓，現在又推遲到22納米，未來恐進一步推遲到11納米，此外，能夠投入18寸晶圓發展的設備商并不多，使得18寸晶圓廠問世的時間恐怕會再延后。