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        應用材料推出全新刻蝕系統

        —— 主要針對45nm以下存儲和邏輯芯片市場
        作者: 時間:2010-12-01 來源:SEMI 收藏

          11月30日宣布推出全新的 Centris™ AdvantEdge™ Mesa™,主要針對45nm以下存儲和邏輯芯片市場。結構緊湊的Centris系統裝配了8個反應腔,即6個刻蝕反應腔和2個刻蝕后清潔腔,每小時可處理多達180片硅片,最多可將單片硅片的制造成本降低30%。同時Centris系統在腔體設計上實現了突破,極大的提高了CD的均勻一致性,將其變化范圍控制在0.8nm以內。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/115097.htm

          據介紹,2010年金屬刻蝕設備市場約為16.8億美元,隨著線寬的縮小,雙掩膜工藝必將對刻蝕的工藝要求越來越高,涉及的工藝步驟也越來越多,正是看好這一市場的巨大發展潛力,投入巨資開發了全新的平臺。公司副總裁兼刻蝕事業部總經理Ellie Yieh介紹,目前Centris系統已經在2家DRAM客戶、1家DRAM+FLASH產品客戶及1家邏輯客戶試用,并獲得了良好的客戶反饋。

          Applied Centris AdvantEdge同樣為綠色工藝開辟了一條新的道路。和市場上現有的硅相比,該系統每年減少的耗電量、耗水量和耗氣量相當于減排60萬磅二氧化碳。

          據介紹,在刻蝕設備領域的全球市場份額為30%左右,每年投入研發的費用保持在10億美元左右。此次應用材料發力全新刻蝕系統,志在改寫刻蝕設備的全球市場格局,同時也讓我們再次感受到了半導體技術創新的無限生機。



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