三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

　　繼Intel、美光上個月宣布投產25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產計劃。

　　海力士將采用26nm工藝生產容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產27nm NAND閃存。

　　海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據韓國當地媒體的報道，海力士將在今年第三季度開始量產 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經占據了先機，三星稱他們在去年就完成了對27nm NAND閃存芯片的研發，并計劃在今年二季度進行量產。

　　不過三星和海力士并沒有透露，新工藝芯片是否采用了MLC存儲技術。

　　根據市場調研公司IC Insights的統計，全球NAND閃存市場今年的收入將達到188億美元，占據半導體市場總收入的7%，高于去年的154億美元。