臺(tái)積電稱(chēng)其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問(wèn)題

　　據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示，臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程相同的水平，他并表示公司已經(jīng)完美解決了先前造成40nm制程良率不佳的工藝腔匹配(Chamber matching)問(wèn)題.

　　臺(tái)積電19日舉辦了一場(chǎng)慶祝Phase5新廠(chǎng)房完工的慶典儀式，這間廠(chǎng)房隸屬于新竹科技園區(qū)的臺(tái)積電Fab12工廠(chǎng).據(jù)悉新完工的Phase5廠(chǎng)房將于今年第三季度起開(kāi)始批量投產(chǎn)28nm制程產(chǎn)品。

　　另?yè)?jù)劉德音表示，臺(tái)積電正在計(jì)劃興建Fab12 Phase6廠(chǎng)房，這座Phase6廠(chǎng)房將用于生產(chǎn)22nm制程產(chǎn)品。