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        總投資超百億元,通富微電旗下兩大先進封測基地取得新進展

        發布人:芯智訊 時間:2024-11-25 來源:工程師 發布文章

        據國產半導體封測大廠通富微電官方微信消息,其旗下通富通達先進封測基地項目開工儀式于2024年9月20日在南通市北高新區舉行。同日,通富通科(南通)微電子有限公司Memory二期項目首臺設備入駐儀式也正式在通富通科舉行。

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        資料顯示,通富通達先進封測基地項目總投資75億元,占地面積217畝,項目計劃于2029年4月全面投產,全面達產后預計年新增應稅銷售60億元、稅收超億元。

        通富微電董事長、總裁石磊在致辭中談到,通富通達先進封測基地項目建成后將主要涉足通訊、存儲器、算力等應用領域,重點聚焦于多層堆疊、倒裝、圓片級、面板級封裝等國家重點鼓勵和支持的集成電路封裝產品。通富微電自成立近30年來,始終深植產業報國信仰,勇當封測領域前沿科技攻關引領者,緊緊圍繞集成電路先進封測領域面臨的瓶頸制約發力,為確保產業鏈、供應鏈自主、安全、可控提供了有效支撐。

        據悉,通富先進封裝測試生產基地項目是2024年省級重大項目,包括通富通達和通富通科兩個子項目。而在同一天,通富通科(南通)微電子有限公司Memory二期項目首臺設備入駐儀式也正式舉行。

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        通富微電董事長、總裁石磊表示,通富通科Memory二期項目的順利推進,既得益于一期項目的成功運行,也凝聚著各方的努力與付出。首臺設備的入駐,標志著通富微電在市北高新區的存儲器封測基地建設取得了階段性成果,將在技術層面形成存儲器封測領先水平,在產能層面滿足日益增長的市場需求,為我國集成電路產業發展注入強勁動力。

        據通富通科(南通)微電子有限公司總經理吉紅斌介紹,Memory二期項目新增凈化車間面積8000平方米,投產后整體每月可提供15萬片晶圓。同時,新增1.6億元設備投資,主要是嵌入式FCCSP、uPOP等高端產品量產所需的關鍵設備,能夠更好地滿足手機、固態硬盤、服務器等領域對存儲器高端產品的國產化需求。

        截止目前,通富通科項目累計投資約30億元,累計產值達10億元。

        南通新聞報道則指出,通富通達先進封測基地項目正式開工,通富通科Memory二期項目首臺設備正式入駐,標志著百億級重大項目通富先進封測基地的兩個子項目同日取得新突破。

        編輯:芯智訊-林子


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        關鍵詞: 半導體

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