4個功率半導體項目落地湖南株洲

6月24日，湖南省功率半導體產業對接會暨功率半導體行業聯盟第八屆發展戰略高峰論壇在株洲舉行。會上，4個功率半導體項目現場簽約，分別為特種變壓器智能制造基地項目、SiC半導體設備與基材生產基地、沃坦科通信連接器項目、功率半導體基板批量制造基地項目。

其中，SiC半導體設備與基材生產基地項目建設單位為株洲諾天電熱科技有限公司（以下簡稱諾天科技）。諾天科技致力于中高頻感應加熱設備和工業控制設備的開發生產與推廣應用，產品廣泛應用于航天、交通、機械、冶金、軌道交通機車車輛行業等幾十種加工制造行業中。

此前披露的環評報告顯示，該項目總投資約1.5億元，規劃用地面積14053.85平方米，總建筑面積11211.89平方米，主要建設內容包括新建1棟3F廠房1#（總建筑面積7780.69平方米）、1棟5F廠房2#（總建筑面積3391.60平方米），1棟1F門衛3#（建筑面積39.60平方米），配套建設給排水工程、停車位、環保設施等。

據悉，目前，株洲功率半導體器件產業集群規模達460億元，構建了從“芯片—模塊—裝置—系統”的完整產業鏈，集群產品廣泛應用于軌道交通裝備、智能化輸配電工程、新能源汽車等領域，遠銷歐美、東南亞等地區。

近年來，株洲SiC產業蓬勃發展，德智新材料半導體用SiC蝕刻環項目、順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目等多個SiC相關項目相繼簽約落地。

其中，德智新材料半導體用SiC蝕刻環項目總投資約2.5億元，主要用于半導體用SiC蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目總投資7.5億元，主要生產工業調頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風力發電用IGBT模塊等，建成達產后可年產400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊，預計年產值8億元。

此次包括SiC半導體設備與基材生產基地項目在內的4個功率半導體項目簽約落地，有望推動株洲功率半導體器件產業集群規模進一步發展壯大。