ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%，實現8nm線寬打印

5月30日消息，光刻機大廠ASML在imec（比利時微電子研究中心）的ITF World 2024會議上宣布，其首款High-NA EUV光刻機已創下新的晶圓制造速度記錄，超過了兩個月前創下的記錄。

根據ASML前總裁兼首席技術官、現任公司顧問的Martin van den Brink的說法，新的High NA EUV光刻機晶圓生產速度達到了每小時400至500片晶圓，是當前標準EUV每小時200片晶圓的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，將進一步提升產能，并降低成本。

現階段經過進一步調整，ASML已經可用其試驗性質High-NA EUV光刻機打印生產8nm線寬，這是的新紀錄，這打破了該公司在4月初當時創下的記錄。當時ASML宣布，已使用位于ASML荷蘭總部與imec聯合實驗室的試驗型High-NA EUV光刻機打印了10nm線寬。

就發展路線來說，ASML的標準EUV光刻機可以打印13.5nm的線寬，而新的High-NA EUV光刻機則是可以通過打印8nm線寬來創建更小的晶體管。ASML現在已經證明其設備可以滿足其基本規格。

Martin van den Brink強調，ASML當前已經取得了進展，能夠在整個打印線寬作業上將其低至8奈米記錄，并進行校正，而且還具有一定程度的重疊覆蓋。因此，ASML對High NA EUV光刻機的發展充滿信心，預計未來將能夠在突破其極限。

而除了ASML自己在進行High NA EUV光刻機的測試之外，目前唯一安裝完成High NA EUV光刻機的英特爾，也在美國俄勒岡州的D1X工廠投入測試工作。預計將在Intel 18A節點制程上進行技術的研發與訓練工作，之后再將其投入到Intel 14A節點制程的大量生產當中。

Martin van den Brink指出，ASML已經可以開發更新一代的Hyper-NA EUV光刻機了，以進一步擴展其High-NA EUV光刻機的潛在路線圖。

編輯：芯智訊-浪客劍