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        0.75 NA 突破芯片設計極限!Hyper-NA EUV 首現 ASML 路線圖:2030 年推出,每小時產 400-500 片晶圓

        作者: 時間:2024-06-14 來源:IT之家 收藏

        IT之家 6 月 14 日消息,全球研發機構 imec 表示阿斯麥(ASML)計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV ,目前仍處于開發的“早期階段”。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202406/459913.htm

        阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克(Martin van den Brink)于今年 5 月,在比利時安特衛普(Antwerp)召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中,表示:“從長遠來看,我們需要改進光刻系統,因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時,我們必須將所有系統的生產率提高到每小時 400 到 500 片晶圓”。

        High-NA 將數值孔徑 (NA) 從早期 EUV 工具的 0.33 NA 提高到 0.55 NA。而根據 van den Brink 在 imec 活動上展示的圖片,該公司將在 2030 年左右提供 Hyper-NA,達到 0.75 NA。

        Imec 高級圖案設計項目總監 Kurt Ronse 表示,這是 ASML 首次將 Hyper-NA EUV 加入其路線圖,他與 ASML 合作開發光刻技術已有 30 多年。IT之家附上相關圖片如下:

        Ronse 表示現階段想要突破 0.55 NA 面臨諸多挑戰,其中問題之一是光偏振

        Ronse 表示:“NA 一旦超過 0.55,由于偏振方向基本上會抵消光線,因此會破壞對比度”。

        解決方案之一就是在光刻設備中加入偏振片,而這又會帶來新的問題,偏振片會阻擋光線,降低能效,增加生產成本。

        Hyper-NA 的另一個挑戰是電阻

        Ronse 表示:“在 0.55 NA 的情況下,我們就必須降低電阻。有了 Hyper-NA,情況會更糟。這將給蝕刻選擇性帶來更多挑戰”。




        關鍵詞: 光刻機 工藝制程

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