今年這七座晶圓廠或延期建設

近兩年，半導體行業受到下行周期市場復蘇不及預期、資金緊張等多方面影響，英特爾、臺積電、三星等多家大廠在繼續維持擴產大勢下，不斷調整放緩晶圓廠建設速度和節奏，以更好服務于企業長期發展目標。據全球半導體觀察不完全統計，今年上半年以來，英特爾德國1nm芯片廠和美國俄亥俄州建廠兩座工廠延遲建設，三星韓國平澤芯片廠和美國泰勒晶圓廠延期，臺積電美國亞利桑那州兩座工廠推遲投產。另外，Wolfspeed德國8英寸SiC晶圓廠或推遲到2025年開建。

據外媒消息，英特爾位于德國馬格德堡附近Fab 29.1和Fab 29.2的建設被推遲，因為歐盟補貼審批待定以及需要移除黑土并重新利用。開工時間由2024年夏天推遲至2025年5月。

此前消息顯示，該芯片廠建設計劃最初開始于2023年上半年，但由于補貼延遲，建設被推遲到2024年夏天。為此，德國財政部長邁克爾·里希特（Michael Richter）極力推動，確保英特爾獲得所需的資金。2023年，聯邦政府批準了價值99億歐元的國家援助作為英特爾300億歐元的項目補貼，但這還有待歐盟確認。

另外，施工現場的表土最早要到2025年5月才能清除，據悉英特爾未來的建筑工地含有優質黑土，必須按照法律規定小心清除并重新利用。州政府將負責清除表層40厘米的土壤，而英特爾則負責清除超過此深度的額外土壤。

據悉，英特爾的Fab 29.1和Fab 29.2原計劃于2027年底開始運營，或將采用非常先進的制造工藝，可能為Intel 14A（1.4nm）和Intel 10A（1nm）工藝節點。但英特爾現在估計“建造這兩家工廠需要四到五年時間”，“因此將于2029年至2030年開始生產”。

此前英特爾官方消息顯示，英特爾節點命名約定中的“A”后綴代表埃，10埃轉換為1納米。英特爾尚未透露有關 10A/1nm 節點的任何細節，但告訴我們，它將新節點歸類為至少具有兩位數的功耗/性能改進。英特爾首席執行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 告訴我們，新節點的改進幅度大約為 14% 到 15%，因此我們可以預期 10A 節點將至少比 14A 節點有同樣程度的改進。

另外，今年2月外媒消息，由于市場需求低迷和美國補貼發放延遲，英特爾推遲了美國俄亥俄州200億美元規模的芯片項目。

2022年1月，英特爾宣布計劃初始投資超過200億美元，在俄亥俄州利金縣建設兩家新的尖端晶圓廠。該計劃從2025年開始芯片制造。受到多方因素影響，據據參與該項目的人士稱，俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩座工廠目前推出至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。

今年2月消息，三星透露，三星已部分停止其位于京畿道平澤市的第五家半導體工廠的建設。

據悉，平澤園區是三星電子的半導體基地，涵蓋內存和系統半導體、芯片設計、生產和后處理。三星電子原計劃在平澤園區85.5萬平方米的場地上建設六家半導體工廠，打造全球最大的半導體中心。目前，平澤園區的P1、P2和P3工廠擁有最先進的 DRAM、NAND 閃存和代工生產線，而P4和P5工廠的建設正在進行中。

三星電子當時表示，停工是為了進一步檢查。但行業人士透露，三星調整P4、P5晶圓廠新生產線是為了優先建造P4廠PH2產線。據悉，P4廠或將興建PH3產線，生產高端DRAM等以滿足市場需求。

另外，據外媒消息報道，三星位于美國得克薩斯州的工廠也延期了。據悉，三星電子已將位于美國德克薩斯州泰勒市的晶圓的量產時間從2024年底推遲到了2026年，原因可能是考慮到晶圓代工市場增勢放緩而調整了建設速度。延遲是由于與美國政府補貼和各種許可復雜性相關的問題造成的。經濟復蘇的不確定性似乎也影響了三星電子在該地區的投資決策。

據悉，三星泰勒晶圓廠項目始于2022年上半年，原計劃于2024年下半年量產，主要聚焦4nm芯片。在2023年12月末，三星電子代工（芯片代工）業務總裁崔時永在美國IEDM 2023上表示，泰勒工廠將于2024年下半年開始首次代工服務，并于2025年開始量產，這表明投資計劃已調整。并且，今年1月外媒最新消息顯示，三星電子原定于2023年末在泰勒晶圓廠安裝設備，現在該安裝計劃已推遲到2024年上半年，這或將量產時間再次后延。

4月9日，臺積電在官網宣布計劃在亞利桑那州建設第三座晶圓廠，建成之后采用2nm或更先進的制程工藝為客戶代工晶圓，在亞利桑那州鳳凰城的全部資本支出，也將因此超過650億美元。

與此同時，業界還關注到，臺積電公布的在亞利桑那州的第一座和第二座晶圓廠投產時間較最初的計劃有推遲。

在官網上，臺積電披露，他們在亞利桑那州的首座晶圓廠正推進到2025年上半年投產，采用4nm制程工藝為相關的客戶代工晶圓；第二座除了此前宣布的3nm制程工藝，也將增加更先進的2nm制程工藝，將在2028年開始批量生產。

此前2020年5月15日宣布在亞利桑那州建設晶圓廠時，臺積電計劃在2021年開始建設，目標量產時間是2024年。2022年12月6日，臺積電宣布工廠的制程工藝由此前計劃的5nm升級到4nm時，他們仍表示計劃在2024年量產。

亞利桑那州第二座晶圓廠則是在2020年12月份宣布，原定計劃于2026年量產，主要采用3nm制程工藝為客戶代工晶圓。最新披露的2028年較原計劃就推遲了近兩年。

而對于計劃在亞利桑那州建設的第三座晶圓廠，臺積電尚未披露動工的時間，但他們提到將采用2nm或更先進的制程工藝，計劃在本世紀30年代末開始投產。

今年延遲動工的還有Wolfspeed與采埃孚聯合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠。

2023年2月，Wolfspeed公司與采埃孚集團宣布建立戰略合作伙伴關系。雙方計劃建立聯合創新實驗室，推動碳化硅系統和設備技術在出行、工業和能源應用領域的進步。該戰略合作伙伴關系還包括采埃孚一項重大投資，支持在德國恩斯多夫建設世界上最大和最先進的200毫米碳化硅晶圓工廠。

據悉，計劃位于薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠由Wolfspee主導建設，預計耗資約27.5億歐元（約合人民幣215億），目前已獲得德國聯邦政府3.6億歐元（約合人民幣28億）及薩爾州政府1.55億歐元（約合人民幣12億）的補貼。Wolfspeed還在申請《歐洲芯片法案》的資金援助。采埃孚將給Wolfspeed提供數億美元的財務投資，以換取該工廠的少數股份。

消息人士透露，Wolfspeed希望在奠基儀式前獲得更多資金，如果無法從該法案中獲得援助，該項目極有可能會延遲。該工廠原計劃于2024年夏季開始建設，但據Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe透露，如今可能要到2025年才會啟動建設。