第三代半導體SiC動態涌現！

近日，化合物半導體動態頻頻，國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對外發布，并將于今年年末開始實施。另外晶升股份研發出液相法碳化硅晶體生長設備，多家碳化硅企業完成新一輪融資，多個碳化硅項目迎來最新進展。

8英寸企業集結，國家標準《碳化硅外延片》半年后實施

根據全國標準信息公共服務平臺官網消息，國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式對外發布，并將于2024年11月1日開始實施。該標準的起草單位囊括了業內多家具備8英寸碳化硅技術的企業，包括天岳先進、爍科晶體、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體等。

對于國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國電科指出，《碳化硅外延片》國家標準確定了碳化硅外延片的質量技術細節，規范和統一了具體的技術性能項目和指標。該標準及時填補了國內半導體材料領域產品標準的空白，對碳化硅外延片生產工藝、質量控制、采購及銷售管理都有重要的指導作用。

晶升股份研發出液相法碳化硅SiC晶體生長設備

近日，晶升股份液相法SiC晶體生長設備研究取得新進展，已成功研發出液相法SiC晶體生長設備并提供給了多家客戶，將會繼續配合客戶不斷進行設備的優化和改進工作。

目前， PVT生長工藝是國內廠商生長SiC晶體的主流方法，液相法生長技術則處于研究和開發階段。關于液相法SiC晶體生長設備，晶升股份提前開展了相關布局并已經在2023年提供樣機給多家客戶，隨后晶升股份協同客戶不斷進行優化和改進，進一步提升晶體的品質與良率。

此前，晶升股份8英寸SiC長晶設備已實現批量出貨,其中包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產品，下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型SiC晶體生長及襯底制備。

2023年，晶升股份業績表現良好，實現營收4.06億元，同比增長82.70%；歸母凈利潤0.71億元，同比增長105.63%；歸母扣非凈利潤0.42億元，同比增長86.64%。

北一半導體完成B+輪融資

5月8日，北一半導體官微宣布，他們成功完成了B+輪融資。目前由上海吾同私募基金管理有限公司領投的1億元資金已經到位，另有5000萬元投資金額在結尾工作中，預計本輪融資總額將達到1.5億元。

消息顯示，該輪融資資金主要用于北一半導體SiC MOSFET技術的進一步研發，以及產線的升級與擴建。一方面，通過加大研發投入，加快技術創新的步伐，提升SiC MOS的性能指標和生產效率；另一方面，通過產線的升級與擴建，提高生產規模，滿足市場需求，推動SiC MOS的產業化進程。

天眼查顯示，北一半導體成立于2017年，專注于Si基、SiC基功率半導體芯片及模塊研發、模塊生產、銷售。此前，北一半導體已完成兩輪融資，其中B輪融資金額也超1.5億元，融資資金主要用于加速公司產線擴建、產品研發、團隊擴建以及市場拓展等。

昕感科技再添戰略股東，6英寸功率半導體制造項目今年投產

5月11日，昕感科技官宣完成京能集團旗下北京京能能源科技并購投資基金戰略入股。

據悉，昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率模塊的技術突破創新與產品研發生產。昕感科技SiC MOSFET累計出貨客戶百余家，產品可廣泛應用于光伏儲能、新能源汽車、工業控制等領域。

昕感科技官方消息指出，公司是國內為數不多可進行6英寸晶圓特色工藝生產的IDM廠商。昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款SiC器件和模塊產品量產，部分產品已通過AEC-Q101車規級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規格，模塊產品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

今年1月30日，昕感科技6英寸功率半導體制造項目封頂活動在江蘇江陰高新區舉行。該項目自2023年8月8日啟動，總計投資超10億元。據人民網4月29日報道，江蘇昕感科技有限責任公司6英寸功率半導體制造基地近日進入采購設備和調試階段。這片廠房的主體結構已于今年初全面封頂，計劃年底前正式投產。

季華恒一完成A輪融資

5月12日，季華恒一（佛山）半導體科技有限公司宣布，他們于近日完成了A輪融資。本次投資由優山資本領投，季華璀璨（佛山）投資有限公司跟投。

公開資料顯示，季華恒一脫胎國內知名的科研機構季華實驗室，成立于2021年6月，公司專注于寬禁帶半導體和新能源領域的半導體裝備產業化，著力于開發滿足高良率、穩定生產需求的SiC高溫外延生長系統等等。

值得一提的是，去年5月，季華恒一自主研發的高溫離子注入設備交付客戶，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的離子注入工藝；同年12月碳化硅激光退火設備再次交付新訂單。

明年7月將投產，長飛先進200億元武漢基地首棟建筑封頂

據中國光谷5月10日消息，日前，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓提前封頂。這標志著，該項目進入投產倒計時，預計于今年6月全面封頂，明年7月投產。

消息稱，長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區，由長飛先進半導體（武漢）有限公司出資建設，總投資預計超過200億元。項目主要聚焦于第三代半導體功率器件研發與生產，應用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網等領域，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造標桿工廠。項目建成后，將成為國內最大的碳化硅功率半導體制造基地。

該項目由中建一局承建，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設內容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等，建設周期為578日歷天。項目達產后，預計可年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊。

江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產項目預計6月投產

據金龍湖發布消息，目前，江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產項目機電安裝工作已進入后期收尾階段。

相關負責人表示，后續重要工作將是吊頂完成，各系統的追位、調試，以及生產輔助用房建設和地面硬化等，力保6月前完成調試，6月3日順利竣工交付。

金龍湖發布消息顯示，天科合達二期項目作為省級重大產業項目，總投資8.3億元，建筑面積約5萬平方米，包括標準化廠房、危化庫、固體庫等設施。計劃購置安裝單晶生長爐及配套設備合計647臺（套），新建碳化硅晶片襯底制備生產線，達產后可實現年產碳化硅襯底16萬片。此次二期擴產項目投產后，天科合達徐州基地碳化硅晶片年產能將達到23萬片、年產值10億元以上。

資料顯示，江蘇天科合達是北京天科合達全資子公司。北京天科合達是國內首家專業從事第三代半導體碳化硅襯底及相關產品研發、生產和銷售的國家級高新技術企業。

三安半導體SiC項目二期計劃Q3投產

5月9日，據湖南三安半導體消息，湖南三安半導體董事長林志東近日作為中國半導體企業代表應邀參加了中法企業家委員會第六次會議。

在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項目最新進展。據介紹，位于湖南湘江新區的湖南三安半導體責任有限公司，2020年落戶長沙，僅用一年時間就點火試產。目前，一期已經全線投產，目前SiC年產能已達到25萬片（6英寸）。二期正在建設中，將全部導入8英寸生產設備和工藝，計劃今年三季度投產。整個項目達產后將實現總計年產48萬片的規模。

據悉，該項目作為國內首個、世界第三個SiC全產業鏈整合研發與制造項目，總投資160億元，規劃用地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產權，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業鏈生產與研發基地，業務涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環節。該項目一期于2020年7月破土動工，2021年6月23日正式投產，并于同年11月量產下線SiC SBD全系列產品。2022年7月，該項目二期工程開工。

產品方面，湖南三安的SiC系列產品主要面向工業級和車規級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅的1200V 16mΩ車規級產品，目前正在數家戰略客戶進行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導通電阻、最大額定電流產品。

合作方面，湖南三安與維諦技術于3月28日宣布達成戰略合作伙伴關系，雙方將共同推動數據中心、通信網絡等領域的創新與發展。基于此，湖南三安SiC業務有望向數據中心、通信等領域加速滲透。

河南中宜創芯500噸碳化硅半導體粉體生產線成功達產

近日，河南中宜創芯發展有限公司（以下簡稱“中宜創芯”）SiC半導體粉體500噸生產線成功達產，產品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業和研究機構開展試用和驗證。

資料顯示，中宜創芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產2000噸碳化硅半導體粉體生產線。項目一期總投資6億元，年產能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產，9月30日首批產品出爐。預計達產后年產值5億元，

據悉，2023年國慶期間，經權威機構檢測，中宜創芯首爐SiC粉體產品純度為99.99996%，達到國內優等品標準。10月17日該項目一期試生產結束，第一批設備全部投料完成，標志著中宜創芯SiC粉體開始進入批量生產階段。歷時三個月，該項目一期從開工進入到試生產階段，再經過半年時間，項目又完成從試產到達產轉變，在建設進度方面進展較快。與此同時，SiC粉體產品純度不斷提升，已由99.99996%進一步提高到99.99999%。

目前，中宜創芯SiC粉體產品正在被國內多家企業和研究機構試用和驗證，在一定程度上顯示了該產品市場認可度較高，也為中宜創芯SiC粉體后續擴產項目順利進行起到了一定的推動作用。

此外，技術研發方面，中宜創芯已與浙江大學杭州國際科創中心簽訂合作框架協議發揮雙方優勢，共同開展碳化硅半導體粉體行業標準制定、科技創新、成果轉化、平臺建設、人才培養等方面的合作，努力創造出更多成果。

年產40萬片國內碳化硅襯底擴產

在電動汽車、可再生能源和工業自動化等應用的推動下，碳化硅的市場需求量不斷增加。而在碳化硅的主要成本中，襯底環節成本大于外延環節和制備環節等。從成本與市場的角度來看，碳化硅襯底成本降低40%，碳化硅市場規模將提升4倍。從供給與需求側來看，2025年全球襯底需求量將超過300W片，而2022年全球碳化硅襯底產能僅為60~80萬片，產能缺口達5倍左右，國內外企業等紛紛著力擴產。

近日，江西罡豐科技有限公司公示了其年產40萬片第三代半導體襯底外延建設項目（一期）的相關內容，該項目的主要建設內容包括碳化硅半導體襯底生產線的建設以及相關配套廠房設施的完善。項目一期工程預計建成后將具備年產40萬片第三代半導體襯底外延的能力。

江西罡豐科技有限公司表示，此次投資是為了滿足市場對高性能半導體襯底材料的需求，同時也將推動公司在半導體領域的技術創新和產業升級。該項目的實施，不僅將提升公司的核心競爭力，還將為我國的半導體產業發展注入新的活力。

10億！源芯微電子年產20億只車規級芯片智造項目簽約

5月9日，“南太湖發布”官微披露，浙江湖州南太湖新區管理委員會和安徽源芯微電子有限責任公司（以下簡稱源芯微電子）舉行源芯微電子年產20億只車規級芯片智造項目簽約儀式。

據悉，此次簽約落地的年產20億只車規級芯片智造基地和SiC車規級芯片研究院項目總投資10億元，分兩期建設，全部達產后年產值約18億元。

源芯微電子從事高端半導體芯片設計研發、封裝測試、成品銷售，其主要產品是半導體集成電路芯片，廣泛應用于家電、PC/手機平板、無線快充、移動電源充電樁、智能家居、穿戴設備、綠色照明、健康醫療等行業及新能源等領域。

近年來，源芯微電子持續加大功率半導體產業布局。2021年12月，蕪湖高新區（弋江區）舉行重大項目集中簽約、開工活動，其中就包括源芯微電子先進功率半導體基地項目。

據報道，源芯微電子先進功率半導體基地項目總投資10億元，專注于半導體功率器件設計、生產與銷售。項目達產后年產能將達到100億只功率器件、IC芯片。