54億美元并購失敗后，英特爾宣布將為高塔半導體提供代工服務！

繼此前雙方的54億美元并購案失敗之后，當地時間9月5日，英特爾代工服務 (IFS)部門和領先的模擬半導體解決方案代工廠 Tower Semiconductor（高塔半導體）宣布達成一項新的協議，英特爾將提供代工服務和 300mm 制造能力可幫助高塔半導體為全球客戶提供服務。

根據協議，高塔半導體將利用英特爾位于新墨西哥州的先進制造工廠。同時，高塔半導體將投資高達 3 億美元購買和擁有將安裝在新墨西哥州工廠的設備和其他固定資產，為高塔半導體的未來增長提供每月超過60萬個曝光層的新產能，從而使產能能夠支持預測的客戶需求300mm先進模擬處理需求。

雙方表示，該協議體現了英特爾和高塔半導體致力于通過無與倫比的解決方案和擴展能力擴大各自代工業務的承諾。英特爾將在新墨西哥州里奧蘭喬的英特爾 Fab 11X 工廠生產高塔半導體高度差異化的 65 納米電源管理 BCD（雙極-CMOS-DMOS）流程以及其他流程。

英特爾高級副總裁兼英特爾代工服務總經理斯圖爾特·潘恩 (Stuart Pann) 表示：“我們推出英特爾代工服務的長遠目標是提供全球首個開放式系統代工廠，將安全、可持續和彈性的供應鏈與英特爾和我們生態系統的最佳成果。我們很高興 Tower 看到了我們提供的獨特價值，并選擇我們來開放他們的 300 毫米美國產能走廊。”

Tower 首席執行官 Russell Ellwanger 表示：“我們很高興繼續與英特爾合作。展望未來，我們的主要重點是通過大規模制造領先的技術解決方案來擴大我們的客戶合作伙伴關系。與英特爾的合作使我們能夠滿足客戶的需求路線圖，特別關注先進的電源管理和射頻絕緣體硅 (RF SOI) 解決方案，并計劃于 2024 年進行完整的工藝流程認證。我們認為這是第一步與英特爾共同打造多種獨特的協同解決方案。”

該協議展示了IFS 如何幫助客戶進入英特爾全球工廠網絡（包括美國、歐洲、以色列和亞洲）的制造能力走廊。除了在俄勒岡州的現有投資和計劃在俄亥俄州的投資外，英特爾 40 多年來一直在美國西南部地區進行投資和創新，在亞利桑那州和新墨西哥州設有工廠。英特爾此前宣布投資 35 億美元，擴大在新墨西哥州的業務，并裝備其創新中心之一的里約蘭喬園區，用于制造先進的半導體封裝。

對于高塔半導體來說，這是其擴大規模的下一步，通過行業領先的 65nm BCD 功率和 RF SOI 技術在市場上的廣泛采用，為不斷擴大的 300mm 技術客戶群提供服務。具體來說，高塔半導體的 65nm BCD 技術通過其一流的 Rdson 品質因數為客戶提供了更高的功率效率、芯片尺寸和芯片成本。同樣，Tower 的 65nm RF SOI 技術可幫助客戶降低手機電池消耗，同時通過其一流的 RonCoff 品質因數改善無線連接。該協議帶來的規模擴大將使 Tower 不僅能夠利用現有技術提供更大的機會，而且還能加強與行業領先客戶的合作伙伴關系，這將有助于制定強大的下一代技術路線圖。

英特爾稱，IFS 是英特爾 IDM 2.0 戰略的重要支柱，今天的宣布標志著英特爾在多年轉型中又向前邁出了一步，旨在重新獲得并加強技術領先地位、制造規模和長期增長。IFS 在過去一年中取得了重大進展，2023 年第二季度收入同比增長超過 300% 就證明了這一點。近期，英特爾還與 Synopsys 達成協議，開發基于 IFS 的知識產權組合，這一動作反應了Intel 3 和 Intel 18A 制程節點的進展。英特爾還獲得了美國國防部的快速保證微電子原型 - 商業 (RAMP-C) 計劃，有五個 RAMP-C 客戶參與了Intel 18A 的設計。

編輯：芯智訊-林子