行業新一輪擴容，半導體設備國產化步入新篇章

1.1 市場規模：700 億美金大市場，行業擴容技術升級助力設 備環節再成長
1.1.1. 半導體行業產能緊缺引發漲價潮，“行業擴產設備先行”推升新 一輪景氣周期
全球半導體行業目前正處于產能緊張價格上漲的供需矛盾突出時期。在 疫情影響、中美科技摩擦、全球產業鏈轉移、5G 需求升級、新能源汽 車起量、物聯網風起布局等供需兩端多重因素影響下，目前全球半導體 行業產能緊缺，供需缺口持續拉大，行業景氣度有望攀升。在景氣度持 續性方面，全球晶圓制造最先進制程廠商臺積電法說會指引產能緊缺狀 態有望延續至 2022 年。下游市場與客戶相對分散、產品形態相對大宗 的封測環節龍頭廠商包括日月光、長電、華天、通富等企業自 2020 年 Q4 起對各產品價格進行不同程度調漲，在封測產能擴張相對較快情況 下，預計封裝產能供需平衡最早將在 2023 年實現。
全球與中國半導體銷售額逐月創新高，行業景氣度向上趨勢延續。據 SIA 數據，2021 年 9 月全球半導體銷售額 482.8 億美元，同比增長 27.5%， 連續 20 個月同比正增長，9 月銷售額再次突破前月新高值。9 月中國半 導體銷售額 167.2 億美元，同比增長 24.3%，連續 22 個月同比正增長， 全球占比維持在 35.36%左右。全球與中國半導體銷售額同創新高，今年 以來同比增速持續爬升，其中中國半導體銷售額同比增速明顯高于全球 水平，增長勢頭強勁。展望 2021 年 5G、線上應用、汽車電子、AIoT 為行業主流發展趨勢，創新升級前景可期，行業景氣度向上趨勢有望延 續。半導體產業漲價潮來臨，多家海內外廠商交貨周期拉長并調漲產品價格。自 21 年年初至今，半導體從代工廠環節開始發生行業價格普漲，代工 廠臺積電、中芯國際、力晶，材料端硅片、封裝基板、覆銅板，封測端 日月光、長電等廠商或環節均有發生漲價，累積傳遞至 IC 設計端，IC設計廠商芯片交貨周期拉長、價格上漲蔓延至產業鏈下游各個細分市場， 行業產能持續緊張，行業供給壓力預計持續至 2022 年。

為緩解全球芯片短缺問題，并應對自動駕駛、AI、高效能計算以及 5G 通訊等中長期的強勁需求，龍頭代工廠開啟新一輪高強度資本開支。一 方面由于行業產能供需矛盾突出，另一方面汽車電子、AIoT 等新興賽道 強勢崛起，全球代工龍頭臺積電開啟十年周期級別的新一輪高強度資本 開支。在 2008 年金融危機前后，臺積電每年資本開支在 25 億美金左右。在 2010 年~2018 年，臺積電每年資本開支提升至 60~110 億美金水平， 平均約 88.7 億美金，其搶先布局智能手機賽道，與大客戶攜手突破先進 制程迭代，成功打造全球領先的先進制程代工廠。
本土代工龍頭中芯國際自 2020 年 7 月回歸科創板上市后，迅速提升資 本開支強度支撐本土半導體產業發展。在中美科技摩擦背景下，中芯國 際多次公告其對美國半導體設備供應商采購需進行審批管制，對其先進 制程研發以及成熟制程擴產帶來一定阻力和不確定性。
產能擴張，設備先行。代工廠高強度資本開支將直接拉動半導體設備環 節訂單量。
全球主要半導體設備供應地區設備出貨額屢創新高，同比增速達 50%。據 Wind 數據，2021 年 9 月北美半導體設備出貨額 37.18 億美元，同比 增長 35.53%；9 月日本半導體設備出貨額 2723.88 億日元，同比增長 38.98%。北美與日本半導體設備出貨額持續高企，均創歷史新高，同比 增速逐月爬升至約 50%水平。在全球芯片缺貨潮影響下，龍頭廠商臺積 電、聯電、中芯國際等代工廠加大資本開支堅定擴產，半導體設備環節 將先行受益。
1.1.2. 全球市場規模持續擴大，中國市場規模占比逐漸提升
全球半導體設備市場規模未來幾年有望持續擴張。隨著半導體產品的加 工面積成倍縮小帶來加工難度不斷擴大，未來生產半導體產品的制造設 備將越來越精細化，價值或持續上升。根據 SEMI 數據，預計 2022 球半導體設備市場規模有望達到 1013.1 億美元（年初預測為 761 億美元）， 20-22 年 CAGR 為 19.29%。

中國半導體設備市場規模增速大于全球增速，正處于快速發展態勢。由 于中國半導體設備行業起步較晚，因此整體市場規模仍較小。根據 wind 的數據，2020 年中國半導體設備市場規模僅為全球半導體設備市場規模 的 26.30%。但隨著下游需求的不斷推動以及國家政策扶持力度的不斷加 強，中國半導體設備市場正迎來高速增長。根據 Wind 的數據，從 2011 年到 2020 年，中國半導體市場規模增速明顯大于全球增速，2011-2020 年 CAGR 為 19.92%，大于全球的 5.62%。
隨著半導體行業的第三次產業轉移，下游產業需求和政策紅利正推動中 國逐漸成為半導體設備市場的中心。根據 SEMI 的數據，中國大陸半導 體市場規模預計 2020 年將達到 173 億美元，2016-2020 年 CAGR 為 27.92%，保持高速增長，且預計將于 2020 年在全球市場占比達到約 27.4%，超過中國臺灣成為全球第一大半導體設備市場。在半導體晶圓 加工設備領域，根據 Gartner 的數據，從 2014 年到 2019 年，中國大陸 市場規模在全球的比重從 10.01%增長到 22.07%，并正式超越韓國與中 國臺灣地區，成為全球最大的晶圓加工設備細分市場。
1.1.3. 晶圓制造設備占比最大，先進制程迭代帶來各工藝設備結構性 差異
半導體設備是半導體行業的基石，支撐芯片制造和芯片封測行業發展。半導體行業主要分為上中下三個環節，上游環節包括 IP 核及設計服務、 材料和設備；中游環節包括設計、芯片制造和芯片封測；下游環節即終 端應用，包括集成電路、分立元件、光電子、傳感器等。半導體設備雖然年產值僅為幾百億美金，卻支撐起 10 倍大的芯片制造產業，進而為 整個年產值近幾十萬億美金的信息產業的發展起到了關鍵性的作用。
半導體設備主要分為晶圓加工設備和封測設備，對應于晶圓加工和封測 的各個環節。
（1）晶圓加工設備：晶圓加工步驟主要分為擴散、光刻、刻蝕、離子 注入、薄膜沉積、拋光等。以晶圓加工中最重要的光刻為例，光刻又可 以細分為清洗、涂膠、光刻和顯影，對應的晶圓加工設備為清洗機、涂 膠機、光刻機和顯影機（測量的 CD/SEM 屬于封測設備）。晶圓處理精 度高，一般在幾納米至幾微米，對加工設備精度要求極高，其中部分工 序需要循環進行多次，需要用到大量的半導體設備。
（2）封測設備：封測分為封裝和測試，封裝主要用于芯片后道加工， 工藝流程在晶圓制造后，分為傳統封裝和先進封裝兩種；測試則涵蓋半 導體中游所有環節，從 IC 設計到 IC 封裝，都需要經過測試。傳統封裝 設備包括減薄機、劃片機、貼片機、引線鍵合機等；先進封裝設備包括 清洗機、濺射設備、光刻機、涂覆設備、回熔焊接設備等；測試設備主 要包括測試機、探針臺和分選機。
在半導體設備投資中，晶圓加工設備資本開支最大，占近 80%。根據 Gartner 的數據，在晶圓廠的資本開支中，半導體設備投資占比最大，占 70%-80%。在半導體設備投資中，晶圓加工作為集成電路制造過程中最 重要和最復雜的環節，其相關設備占比最大，占 78%-80%。封測設備在 半導體設備中占 18%-20%，其中測試設備占比最大，占 55%-60%。
晶圓加工設備市場規模不斷刷新歷史新高，沖擊 700 億美元關卡。晶圓 加工設備市場規模自 2012-2015 年間超過 300 億美元后，2015-2019 年 次超過 500 億美元。據預測，未來 2020-2022 年，其晶圓加工設備將超 過 600 億美元，沖擊 700 億美元關卡。2018 年因為半導體行業景氣度高 企，晶圓加工設備市場規模達到歷史最高值。2020 年由于半導體行業持 續供需失衡，晶圓加工設備市場規模有望超過 2018 年，再次沖擊歷史 高峰。根據 SEMI 的數據，2020 年市場規模較 2019 年預計增長 15%， 增至 549 億美元，超過 2018 年歷史最高值。預計得益于存儲半導體市 場的恢復以及先進邏輯半導體方向的投資，2021 年、2022 年的晶圓加 工設備市場分別較上年增長 4%和 6%，達到 618 億美元和 655 億美元。
下游應用方面，晶圓加工設備的最大應用市場在邏輯半導體。根據 SEMI 的數據，2023 年，晶圓加工設備市場將達到 680 億美元，其中 Foundry/Logic 占據近一半的市場份額。值得一提的是，2020 年預計增 長率最高的用途是 NAND，預計較 2019 年增長 30%。另外，DRAM 在 2020 年的同比增長率接近 20%。封測設備市場開始恢復，測試設備再次沖擊歷史新高。根據 SEMI 的數 據預測，2020 年封測設備市場規模將達到 95 億美元，其中封裝設備 35 億美元，同比增長 20%，測試設備 60 億美元，同比增長 20%。未來封 裝設備的市場規模主要受到先進封裝需求的帶動，預計 2021 年同比增 長 8%，2022 年同比增長 5%。未來測試設備市場規模將受益于 5G、HPC 的需求帶動，2021 年同比增長 4.9%，2022 年同比增長 6.5%。
從增長率和波動性上進行分析，晶圓加工設備市場增長率大于封測設備 市場，市場波動率小于封測設備市場。根據 SEMI 的數據計算，晶圓加 工設備2012年-2022年 CAGR為8.11%，封測設備2012年-2022年CAGR 為 4.86%。晶圓加工設備 2012 年-2022 年波動率 Sx 為 14.65，封測設備 2012 年-2022 年波動率為 Sx 為 26.54。
細分設備市場規模方面，半導體設備細分市場隨著先進制程的迭代而出 現較大結構性差異，大部分市場份額被關鍵細分設備占據。半導體設備 市場份額占比最大的是光刻機、刻蝕設備、薄膜沉積設備三種，分別占 21.8%、18.1%和 25.9%的市場份額。退火設備市場份額占比較小，約為 2.3%。根據 2018 到 2020 年各類前道設備占比數據，半導體設備市場份 額占比排名前三的分別為光刻機、刻蝕和 CVD，總占比達到 63%。
1.2. 市場格局：海外寡頭供應鏈地位強勢，本土企業任重道遠
市場格局方面，全球半導體設備市場處于國際巨頭主導的格局。根據 VLSI 的統計數據，2020 年全球前 5 大半導體設備廠商分別為 AMAT、 ASML、Lam、TEL 及 KLA，對應市場份額為 17.7%、16.7%、12.9%、 12.3%及 5.9%，銷售額合計達 604.54 億美元、占市場總額的 65.50%。前10大半導體設備廠商總銷售額合計708.08億美元，同比增長19.98%， 市場份額達到 76.60%，頭部效應明顯、已形成較為穩定的寡頭壟斷市場 格局。
全球半導體設備市場的集中度不斷上升。根據 Gartner 的數據，前十家 半導體設備企業的市場占有率不斷提升，1998 年 CR10 為 58.2%。2020 年，CR10 提高到 76.6%，增加了 18.4pct，其中前五大廠商市占率達到 65.5%。
細分設備市場格局方面，大部分設備的市場份額均由國外企業壟斷。根 據長江存儲、中芯紹興、積塔、華虹無錫、華力微和株洲中車這五條產線進行計算，以刻蝕設備、退火設備和薄膜沉積設備市場格局為例：
（1） 刻蝕設備:
由于刻蝕工藝復雜，技術壁壘高，市場格局高度集中。根據 Gartner 的 數據，2019 年，Lam、TEL 和 AMAT 在刻蝕設備市場分別占據前三， 總計占有 90.88%的市場份額，寡頭壟斷明顯。國內有部分新興公司正逐 漸打破刻蝕設備市場壟斷，包括中微公司、北方華創、北京屹唐等，三 者分別占據 1.08%、0.78%和 0.15%的市場份額，目前市場份額占比相對 較小。
內資產線對于國內刻蝕設備公司有明顯的發展推動作用，產線中的國內 設備占比相對較高。根據中國國際招標網的數據，Lam、TEL 和 AMAT 總共占據 67%的產線份額。雖然國外公司寡頭現象依然嚴重，但是國內 設備公司的產線份額得到了明顯提升，其中北方華創、中微公司和北京 屹唐三家公司分別占有內資產線 8%、9%和 2%的市場份額，內資產線 對于國內刻蝕設備的發展具有推動作用。

（2） 退火設備：
AMAT 在全球 RTP（快速熱處理設備）領域占有絕對領先地位。退火 設備主要分為氧化/擴散爐、RTP 設備和 Gate Stack 三個部分。其中在 RTP 設備方面，AMAT 占有近 70%的市場份額，有絕對話語權。北京屹 唐作為國內公司，在 RTP 領域有深厚積累，占據 10.22%的市場份額， 排名第二。內資產線中北方華創、國際電氣等國內公司占比明顯提升。根據中國國 際招標網的數據，市場份額占比最大的為 TEL，占 46%。中國公司總計 占有 23.17%的市場份額，其中北方華創占 17%，北京屹唐占 2%。
（3） 薄膜沉積設備：
AMAT、Lam 和 TEL 在薄膜沉積設備領域具有壟斷地位。薄膜沉積設 備主要分為 CVD、PVD 和 ALD。根據 Gartner 的數據，全球 CVD 設備 被 AMAT、Lam 和 TEL 壟斷，三者合計占有 70%左右的市場份額。
國內薄膜沉積設備公司主要為北方華創和沈陽拓荊，競爭力較小。根據 中國國際招標網的數據，AMAT、Lam 和 TEL 在內資產線中占比達到 69%，國內設備公司僅占 10.52%，競爭力非常小，其中北方華創占 3%， 沈陽拓荊占 4%。
晶圓加工前道環節國產替代市場廣闊，本土領軍企業挑戰國際巨頭壟斷 地位。前道制程設備（含前道測試）投資額占比高達 80%以上，為半導 體設備領域的核心主戰場。前道設備市場中海外龍頭廠商高度壟斷，本 土廠商占比較低，主要市場突破口仍集中在本土產線。在國內政策導向 等支持下，本土產線擴張速度顯著高于全球市場。本土領軍的設備企業 已經突破部分前道制程設備，憑借多年前道工藝技術積累以及產線國產 化扶持，本土領軍設備企業有望在前道工藝這一核心主戰場挑戰國際巨 頭壟斷地位。
本土封測企業全球市占率高，國產封測設備企業市占率有望進一步提升。據芯思想數據，本土三大封裝企業長電科技、通富微電、華天科技 2020 年市占率分別為 11.96%、5.05%、3.93%，合計占比 20.94%，在全球供 應鏈體系中具有較強話語權。傳統封裝技術相對穩定，國內設備廠商已 具備一定技術積累與份額。先進封裝國內市場布局較快，國內封測設備 企業有望受益國內封測環節崛起而進一步提升市占率。
1.3. 行業特點：資本先行、客戶高粘性、技術迭代快
1.3.1. 資本開支是設備環節有效先行指標
下游資本開支是半導體設備行業一個有效的先行指標。根據 Wind 的數 據，從 2006 年到 2020 年，全球半導體行業資本開支與集成電路晶圓加 工設備市場規模的同比增長率具有近乎相同的變化關系，集成電路制造 設備產業景氣程度與行業資本開支密切相關，行業資本開支屬于設備行 業整體發展趨勢的先行指標。這主要是因為設備支出在行業資本開支中 占比最大，占比接近 80%，而晶圓加工設備投資又在設備投資中達到近 50%。1.3.2. 產品驗證周期長，客戶市場粘性大
半導體設備涉及多類學科，具有高技術門檻。技術專利是半導體行業的 護城河，而半導體設備行業更是如此。該行業涉獵更廣，其設計和制造 過程需要綜合運用電子、機械、物理、化學、材料、軟件系統、自動化 等多學科領域的先進科技。由于半導體設備的技術參數、運行穩定性等 指標會直接影響半導體產品的產量、質量和良率等生產指標，因此行業 新進入者需要經過較長時間的技術積累，才能在該領域有所突破。
半導體設備于對技術參數和運行穩定性的嚴格要求，具有長驗證周期 的特點。半導體設備的產品研發及商業化流程主要分為可行性研究階段、 產品開發及下線階段、客戶端認證階段和量產及生命周期維護階段四個 階段，其中客戶端認證是最為關鍵的步驟。無論是市場新進入者或新設 備的量產，都要經過下游企業長時間的工藝驗證，包括在具體生產場景的技術驗證、與客戶的持續溝通、完善技術細節等。整個驗證周期消耗 時間平均在 1 年以上，之后設備供應商才會被納入客戶的合格供應商名 單。以華海清科為例，其 Demo 機臺平均驗證周期長達 12.46 個月，銷 售機臺屬于二次采購，驗收周期較短，為 4.95 個月。
半導體設備通過產品驗證后替換成本高，具有較強的客戶粘性。由于半 導體設備較長的生產周期和驗證周期，且下游客戶對于產品售后服務響 應速度和售后技術工藝支持都有著較高的要求，因此半導體設備領域具 有較強的客戶粘性，非必要情況下，下游客戶不會輕易更改產線設備。
1.3.3. 技術迭代帶動產品價值量提升，不同精度等級設備共存
隨著先進制程逐步推進，晶圓制造復雜度提升，工藝步驟顯著增多，精 度要求也隨著線寬變小而明顯提升，最終帶來半導體設備先進產品價值 量提升。以集成電路器件刻蝕為例，根據中微公司的公告，就邏輯器件 而言，從 40nm 到 7nm，需要的刻蝕步驟從 35 步提升到 140 步，且主要 運用設備也從有限控制的圓筒式刻蝕機發展至現代等離子體刻蝕機。而 閃存器件與動態存儲器件相對于邏輯器件而言，又存在刻蝕步驟等性能 要求上的差異。
隨著先進制程推進，制造工藝結構復雜度提升，同一產線同一產品可使 用不同精度等級的設備。以國產存儲廠商 128 層 NAND 產品為例，由 于產品層數較多，不同環節對設備的要求存在顯著差異。其中，光刻機 單臺設備價值量波動范圍約 300 萬美金~7000 萬美金；刻蝕單臺設備價 值量波動范圍約 30 萬美金~1400 萬美金；CVD 單臺設備價值量波動范 圍約 20 萬美金~1100 萬美金。設備價值量差異一方面給新進廠商帶來導 入產線的突破口；另一方面給高研發投入的先進廠商帶來較高護城河。

2.1. 制造環節高強度資本開支為設備行業帶來發展空間
受益于半導體行業景氣度高企，下游晶圓廠、封測廠資本開支不斷擴大， 加速產能擴張。2021 年，晶圓廠開始加大資本開支進行產能擴張。臺積 電 2021 年資本開支計劃比 2020 年增加 66%，達到 300 億美元的高位。內資產線長江存儲、長鑫存儲、中芯國際、無錫華虹均規劃大幅進行產 能擴張。
本土半導體設備廠商的主要客戶集中在內資產線和部分臺資產線，其中 內資產線占絕大部分份額。內資產線擴產主力集中在兩大存儲基地長存 /長鑫，以及兩大代工廠中芯國際/華虹。產線投資中設備投資占比最高， 以本土最大的晶圓制造代工廠中芯國際為例，中芯國際募投項目 12 英 寸芯片 SN1 項目的總投資額為 90.59 億美元，其中生產設置購置及安裝 費達 73.30 億美元，晶圓制造設備相關占比達到 80.9%。
根據 IBS 統計，隨著技術節點的不斷縮小，集成電路制造的設備投入呈 大幅上升的趨勢。以 5 納米技術節點為例，其投資成本高達數百億美元， 是 14 納米的兩倍以上，28 納米的四倍左右。
根據本土主要晶圓制造產線每年擴產產能峰值測算，本土產線擴產產能 峰值合計約 30 萬片/月。其中，不同制程產線對應投資密度不同，據測 算，本土主要產線每年設備投資額峰值合計約 220 億美元。進一步，根 據不同工藝設備占總設備投資比例測算，在實現 40%國產化率情況下， 薄膜沉積、光刻、刻蝕等環節的本土設備分別對應約 17.6 億美元市場。隨著國產化率進一步提升，本土設備廠商直接面向的市場空間將更為廣 闊。（報告來源：未來智庫）
2.2. 中美科技摩擦反復，加速設備全面深度國產化
2020 年中美科技摩擦升級，美對華為芯片斷供生效。2020 年 5 月 15 日， 美商務部稱全面限制華為購買采用美國軟件和技術生產的半導體，禁令 升級至半導體設備，設定 4 個月過渡期。2020 年 9 月 15 日，美國對華 為芯片斷供禁令生效。2020 年 10 月 5 日，中芯國際公告稱美國商務部 工業與安全局對向中芯國際出口的美國設備等進行限制。2020 年 12 月 21 日，中芯國際公告稱被美國商務部列入“實體清單”，10nm 及以下的 產品或技術“推定拒絕”。
根據中芯國際前后兩次的公告，美國商務部以保護美國國家安全和外交 利益為由，將中芯國際及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”。公 司被列入“實體清單”后，根據美國相關法律法規的規定，針對適用于美 國《出口管制條例》的產品或技術，供應商須獲得美國商務部的出口許 可才能向公司供應；對用于 10nm 及以下技術節點（包括極紫外光技術） 的產品或技術，美國商務部會采取“推定拒絕”（Presumption of Denial） 的審批政策進行審核；同時公司為部分特殊客戶提供代工服務也可能受 到一定限制。
美國對中芯國際限令將“10nm 技術節點”作為分界點，對“先進制程” 與“成熟制程”進行了再定義，將業界傳統認為的分界點“28nm”或“14nm” 直接提升至“10nm”，美國對中芯國際的制裁在“先進制程”定義上存 在一定程度的妥協與邊際改善。據 SIA 數據，2019 年邏輯晶圓制造產能 占比約 41%，其中＜10nm 晶圓制造產能占比約 2%，>45nm 晶圓制造產 能占比最高約 22%。目前，≥10nm 制程的晶圓產能占比高達 98%，美 國對中芯國際的制裁將工藝制程分界點劃分為 10nm 為本土晶圓代工龍 頭的發展帶來了相對確定的發展空間和技術積累時間。
中美科技摩擦過程中，華為和中芯國際兩大支柱性企業均受不同程度影 響，半導體設備國產化有望向深度化和全面化發展。中國半導體設備目 前仍主要依賴于進口設備，國內公司市場規模相對較小，自給能力亟待 提升。在中美科技摩擦背景下，國內政策傾斜、Fab 廠國產化意愿加強、 資本市場活躍注入、設備廠抓住歷史機遇等多方面因素促使半導體設備 國產化逐漸走向深度化和全面化。根據中國半導體工業協會的數據， 2020 年中國半導體設備銷售額預計將達到 213 億美元，國產化率預計將 首次超過 20%。
從細分設備市場來看，ICP 刻蝕設備、CVD 成膜設備、摻雜設備、量 測設備、光刻設備上升速度明顯。通過統計截止到 2021 年 11 月 13 日 中國國際招標網所公示的設備中標情況，對六大產線（長江存儲、中芯 紹興、華虹無錫、華力微、株洲中車、積塔）每一類設備的總采購量以 及國產化率進行測算。根據測算，2020H2 至今六大產線中 ICP 刻蝕設 備、CCP 刻蝕設備、PVD 成膜設備、CMP 設備、爐管設備、清洗設備 以及去膠設備國產化率較高，均超過了 30%，其中清洗設備達到 50%。技術壁壘較高的量測設備、光刻設備以及摻雜設備雖然國產化率很低，但是上升趨勢明顯
在 IC 設備國產化的浪潮中，各個子領域均有優秀的本土企業。其中， 北方華創在 ICP 刻蝕設備、PVD 成膜設備、清洗設備、爐管設備份額提 升顯著，中微半導體在 CCP 刻蝕設備表現出色，上海微電子在技術壁壘 較高的光刻設備中開始嶄露頭角，華海清科在 CMP 設備中市場份額逐 漸提升等。尤其是 2020H2 至今，北方華創在 ICP 刻蝕設備市場份額達 到 29.27%的市場份額，開始逐漸在該領域與龍頭企業 Lam 和 AMAT 分 庭抗禮。我們預計未來隨著國產替代的持續推進，IC 設備的國產化率有 望進一步提升。
2.3. 資本市場助力行業發展，Fabless 廠商自建制造環節
自科創板創立以來，本土半導體廠商迎來歷史性融資窗口期。在資本市 場助力下，大小 Fabless 廠商不同程度擴建制造環節，以補強自身產品 流片過程中的產能薄弱環節，增強供應鏈管理能力與話語權。Fabless 廠 商擴產過程中根據自身產品特點對部分設備存在一定客制化需求，在疫 情影響下，國內設備廠商的快速響應能力有望加速該環節產線導入。
自 2019 年以來 A 股 Fabless 和 IDM 企業募投項目中，設備投資占比超 10%項目投資額超 430 億元。其中，設備投資額根據產品差異、企業戰 略定位等存在較大差異，統計企業中各類項目設備投資額占比約在 10%~75%之間。
韋爾股份自建生產線補強流片薄弱環節。韋爾股份作為本土最大的 Fabless 上市公司，發行可轉債約 24.4 億元用于晶圓測試及晶圓重構生 產等項目建設，規劃于上海松江建設 3.5 萬片/月測試與 3.0 萬片/月重構 產能。韋爾股份作為具有國際競爭力的 CIS 芯片龍頭企業，借助資本市 場補強 CIS 芯片流片環節中的產能瓶頸環節，有助于保障自身供應鏈安 全，提升競爭壁壘。
卓勝微與 Foundry 共建晶圓前道生產專線。卓勝微作為射頻領域 Fabless 龍頭企業，通過定增募資 30.1 億元發展濾波器芯片等項目。據公司公告， 公司通過與 Foundry 共同投入資源合作建立晶圓前道生產專線，使用先 進的管理和設備對晶圓生產過程中的特殊工藝和環節進行快速迭代優 化，綜合晶圓制造企業和公司各自優勢，形成最終的工藝技術能力和量 產能力，同時實現生產效率的提升和成本空間的壓縮。龍頭企業在規模 擴大后，開始突破發展早期的純 Fabless 模式，加強與 Foundry 合作，并 投入資金建立生產專線。該項目設備投資額占比約 62.3%。
Fabless 和 IDM 企業融資擴產將拉升設備環節訂單量。格科微規劃于上 海投資 74.3 億元用于建設 CIS 研發與產業化項目，設備投資額占比約 72.28%。華潤微規劃于重慶西永投資 42.0 億元用于功率半導體封測基 地項目建設，設備投資額占比約 69.76%。
此外，部分 Fabless 廠商募投項目設備投資額占比較低，而對研發進行 高額投入。恒玄科技 IPO 募資 48.6 億元，其中設備和硬件投資占比約 5%，研發投入約 80%。研發投入中晶圓試制費用和封測費用占絕大部分， 也將占用晶圓廠部分產能。
在資本市場資金助力下，較大規模的 Fabless 廠商加強布局自身供應鏈， 自建產線、共建專線或加強研發等方式將直接或間接拉動設備訂單。Fabless 廠商產品種類相對固定，在自建或共建產能上對部分設備存在一 定客制化需求，為本土企業導入產線打開一條新的通道。
2.4. 本土半導體設備企業迎來歷史性發展機遇
機遇一：半導體行業景氣度歷史罕見，高強度資本開支開啟新一輪擴產周期。半 導體行業自 2019 年下半年開啟景氣度向上周期，自 2020 年下半年開啟 漲價模式，產能緊張產品缺貨推升半導體行業新一輪高強度擴容。半導 體行業發動機臺積電年初指引三年 1000 億美金高強度資本開支，新一 輪行業擴產周期啟動，半導體設備環節率先直接受益。
機遇二：中美科技摩擦推升國產化意愿，本土設備中標率明顯提升。中美科技摩 擦自 2018 年起逐步升級加劇，2020 年 9 月華為芯片斷供、中芯國際設 備采購受限。國家層面出臺政策進行產業資源傾斜、本土產線國產化意 愿全面提升、本土設備廠提效抓機會、本土資金與人才流動性加強，在 多方助力下，本土設備廠中標率與訂單量提升明顯，國產自主可控仍是 中長期主旋律。
機遇三：本土大廠已經躍過風險試產階段，戰略目標從“爬良率出產品”向“供 應鏈安全”傾斜。本土兩大存儲基地武漢長存、合肥長鑫在 2017 年~2019 年的發展早期，首要目標是突破技術路徑和專利風險，盡快爬升良率出 產品，其在早期建設過程中供應鏈國產化并非首要任務。而目前，長存 和長鑫產能已初具規模，躍過早期風險試產階段，后期擴產出于供應鏈 安全角度，國產化意愿與能力有望提升。同理，中芯國際 14nm 已量產時間超過一年半，后期擴產規劃主要以成 熟制程為主。華虹無錫、士蘭微廈門、華潤微重慶的 12 寸產線均在近 年內量產爬坡，后續擴產有望進一步提升國產化率。
機遇四：設備國產化由單點突破模式邁向產線協同整合。早期國產設備制造商導 入內資產線主要通過提升自身產品性能向海外巨頭看齊，認證周期及認 證環節相對更長更繁瑣。目前在科技摩擦背景下，國內部分產線針對成 熟制程和成熟產品，從工藝制造、設計、機臺設備等方面加強全環節協 作，部分國產設備廠商有望從單一產品類公司向工藝平臺類公司升級， 看好半導體設備環節深度國產化。
機遇五：資本市場助力行業發展，Fabless 廠商自建或共建制造產能。自科創板 創立以來，本土半導體廠商迎來歷史性融資窗口期。在資本市場助力下， 大小 Fabless 廠商不同程度擴建制造環節，以補強自身產品流片過程中 的產能薄弱環節，增強供應鏈管理能力與話語權。Fabless 廠商擴產過程 中根據自身產品特點對部分設備存在一定客制化需求，在疫情影響下， 國內設備廠商的快速響應能力有望加速該環節產線導入。
機遇六：疫情影響疊加設備訂單旺盛，海外巨頭部分設備交期拉長給本土企業帶 來替代機會。半導體設備廠主要集中在歐美日地區，半導體制造環節主 要集中在大陸、中國臺灣、韓國等地區。在全球疫情影響下，海外巨頭設備 廠商海運交付、工程師調試等受阻，在旺盛設備訂單下，部分海外廠商 設備交期拉長，給本土企業帶來良好的替代機會。
來源作者：國泰君安證券，王聰、舒迪、郭航