(2021.11.1)半導體周要聞－莫大康

半導體周要聞

2021.10.25- 2021.10.29

1. 半導體設備國產化專題：中微、盛美、北方華創(chuàng)、華海清科、拓荊、屹唐半導體等是12寸線設備國產化的關鍵推動者

據國際招標網中標數量統(tǒng)計，目前國內主要的4條12寸晶圓產線的整體國產化率不足15%。分設備類型來看，去膠設備的國產化水平最高，接近70%，CMP、刻蝕、清洗、熱處理等工藝設備類別的國產化率均超20%，PVD設備整體國產化率近15%，CVD、離子注入、量測、光刻、涂膠顯影、鍍銅等設備的國產化率均不足5%。

12英寸產線的工藝設備國產化平均水平接近13%。據中國國際招標網數據統(tǒng)計，長江存儲、華虹無錫、合肥晶合、上海華力二期四個項目共累計采購數千臺工藝設備，整體國產化率接近13%。

2. 士蘭微Q3凈利潤暴漲2075.21%！

10月29日，士蘭微發(fā)布三季報稱，2021年7-9月，公司實現營業(yè)收入為19.14億元，同比增長51.98%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為2.97億元，同比增長2075.21%。扣非凈利潤2.85億元，同比增長11960.79%。

2021年前三季度，士蘭微實現營業(yè)收入為52.22億元，同比增長76.18%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為7.28億元，同比增長1543.39%。扣非凈利潤6.87億元，同比增長14883.51%。

士蘭微表示，2021年1-9月，半導體行業(yè)景氣度持續(xù)向好，功率半導體等芯片國產替代加速，公司在特色工藝平臺建設、新產品開發(fā)、戰(zhàn)略級大客戶合作等方面不斷取得突破，加快產品結構調整，積極擴大產能，集成電路和分立器件等產品出貨量持續(xù)增長。

3. 寧南山聊聊華為的三季報

華為的芯片是2020年9月徹底斷供的--因為制造被卡了。

今年10月29日華為發(fā)布2021年前三季度經營業(yè)績，前三季度公司實現銷售收入4558億元人民幣，凈利潤率10.2%。

2021年第一季度，華為營收為1522億元，凈利潤率11.1%，去年同期為1822億人民幣，下降16.5%；

2021年第二季度，華為營收為1682億元，凈利潤率8.6%，去年同期為2718億人民幣，下降38.1%；

2021年第三季度，華為營收為1354億元，凈利潤率10.2%，去年同期為2173億人民幣，下降37.7%。

4. Semiwiki：全球半導體資本支出是否過大，有產能過剩危險？

臺積電、三星和英特爾合計占半導體行業(yè)總資本支出的一半以上。Gartner 7月份預測2021年行業(yè)資本支出為1419億美元，自2021年以來增長28%。預計2021年資本支出將大幅增長的其他公司包括代工廠聯電和格芯、美光和SK海力士；以及集成設備制造商（IDM）意法半導體、英飛凌和瑞薩電子。

臺積電半導體行業(yè)目前正經歷著由汽車電子、5G智能手機和基礎設施、物聯網（IoT）、數據中心，以及由于新冠大流行驅動的家庭工作、教育和娛樂而加速的個人電腦增長所帶來的大量的需求增長。Gartner預測2021年半導體行業(yè)資本支出將增長28%，這將是自2017年增長29%以來的最高水平。如果2021年資本支出增長30%或以上，這將是自11年前，2010年的118%的增長率以來的最高水平。

Gartner最新預測2021年資本支出增長28%，世界半導體貿易統(tǒng)計組織（WSTS）預測2021年市場增長25%。根據上述模型，未來兩三年增長將減速，2023年可能出現下降。

5. 晶圓代工擴產成魔王關卡，臺積電漲價對手群難跟進

據晶圓代工業(yè)者表示，興建晶圓廠所費不貲，先期必須掌握三大要件，包括政府補助、初期大客戶包產能或出資購置設備，以及掌握至少未來5年需求能見度高檔等。

連市占過半的臺積電都難以掛保證，面臨毛利率面臨下滑危機，不得不出手調漲代工價格，更遑論其他業(yè)者。由此可知目前晶圓代工大掀擴產潮，未來海水退了就知道實力，不論是美國新廠推進卡關的英特爾，或是要在新加坡再設廠的聯電，產能增不完全是喜事，反而已成魔王關卡。

以臺積電擴產藍圖來看，目前美國5納米廠、南京28納米擴產，或是日本22/28納米特殊制程新廠，都已確定量產後2~3年內的客戶名單與訂單規(guī)模，美國與日本新廠更有當地政府鉅額資金補助落袋，因此至少能將初期「不賺錢」的風險疑慮降低最低，賠本的生意臺積電不會去做。

事實上，外界對於英特爾重返代工或是展開歐美大擴產的動作多持平保守看待，主要是英特爾首要迫切的危機不在產能短缺，而是先進制程技術卡關問題。大舉擴產、重返委外代工對於毛利率與整體獲利影響甚鉅，英特爾很難像臺積電大漲代工報價，現在啟動大擴產，恐將承受始料未及的獲利下滑壓力。

目前市場又陷入需求放緩，已難再有上半年爆發(fā)的榮景雜音，聯電要在成本高昂的新加坡興建新廠，恐將折損拉升不易的毛利率與利潤，未來供需反轉、產能閑置更將會是惡夢，最有可能應只是在既有新加坡12i廠進行產能擴充，營運低迷多年的聯電，應相當清楚半導體超級循環(huán)期不會一直無止境。

6. 傳紫光集團破產重整迎來新進展，兩家意向投資方進入下一輪競標

據財新報道，兩名知情人士透露，參與紫光重組的七家意向投資方中有兩家進入下一輪競標，分別是浙江省國資和阿里巴巴聯合體以及北京的智路建廣聯合體。

7. SK海力士將以4.92億美元收購8英寸晶圓代工廠Key Foundry

全球第二大內存芯片制造商SK海力士周五表示，將以5760億韓元（4.92億美元）收購韓國晶圓代工廠商KeyFoundry。

公開資料顯示，KeyFoundry成立于2020年9月，由MagnaChipSemiconductor的代工部門分拆而成。

8. 美國參議院投****通過安全設備法案，加強對華為和中興等企業(yè)的限制

據路透社10月29日報道，美國參議院周四一致投****批準立法，防止華為或中興通訊等被視為帶來安全威脅的公司，從美國監(jiān)管機構獲得新的設備許可證。

9. 三星規(guī)劃史無前例的晶圓代工投資

三星電子周四表示，今年的資本支出將從去年的 330 億美元大幅增加，主要是在內存市場前景不明朗的情況下，在確認收入接近 2018 年鼎盛時期的收入以及第三季度最強芯片收入創(chuàng)下有史以來最好的芯片之后出貨量。

該公司計劃在新采用 DDR5 的情況下繼續(xù)擴展 15 納米 DRAM 和 128 層 V-NAND。它還將擴大14納米DRAM和176-后來的V-NAND的量產，并通過降低成本來增強市場競爭力。

日經亞洲評論報導，三星高層Han Seung-hoon 28日在財報電話會議上表示，2026年產能計劃擴充三倍，不但會擴增位于平澤市的生產線，也許還會前往美國打造一座全新晶圓廠，盡量滿足客戶需求。

三星并重申，預定明(2022)年上半年為客戶生產旗下第一代3nm制程芯片，而第二代3nm芯片則預計2023年出爐。Han表示，晶圓代工事業(yè)將藉由3nmGAA制程拿下技術領先地位，大幅改善業(yè)績表現。

10. 年增百分之13.3， 2022年晶圓代工產值有望達1176.9億美元

展望2022年，在臺積電為首的漲價潮帶動下，預期明年晶圓代工產值將達1,176.9億美元，年增13.3%。

TrendForce集邦咨詢表示，2021年前十大晶圓代工業(yè)者資本支出超越500億美元，年增43%；2022年在新建廠房完工、設備陸續(xù)交貨移入的帶動下，資本支出預估將維持在500~600億美元高檔，年增幅度約15%，且在臺積電正式宣布日本新廠的推升下，整體年增率將再次上修，預估2022年全球晶圓代工廠8吋產能年均新增約6%，12吋的年均新增約14%。

由于8吋晶圓制造設備價格與12吋相當，但晶圓平均銷售單價卻相對較低，擴產較難達到成本效益，因此擴產幅度相當有限；12吋方面，從制程來看，12吋新增產能當中，超過50%為現今最為短缺的成熟制程（1Xnm及以上），且相較于2021年新增產能多半來自于如華虹無錫（Hua Hong Wuxi）及合肥晶合（Nexchip），2022年新增產能主要來自臺積電及聯電，擴產制程集中于現階段極其短缺的40nm及28nm節(jié)點，預期芯片荒將稍有緩解。

11. 做晶圓廠的新型戰(zhàn)略伙伴，國產半導體設備要馭勢而行

隨著中芯國際提出要打造新型戰(zhàn)略供應商模式，國產半導體設備的重要性被再一次凸顯出來。怎樣在難得一遇的行業(yè)擴產潮面前，進一步提高設備的國產化率，將是整個行業(yè)面臨的一次“大考”。

在剛剛結束的IC world 2021上，中芯國際表示去年花了1/3的時間來梳理和支持國產廠商。為此，公司成立了關健部件攻關技術委員會，下轄6大模塊16小組。每個模塊均由公司資深專家掛帥，全力解決備件自主問題，經過不到一年的時間，風險備件的替代率已經快速提升到30%以上。

張昕就指出，晶圓廠要改變國產設備的采購策略，從“價低者得和降價30%”向批量采購支持戰(zhàn)略供應商的策略轉變。

半導體設備使用的核心零部件種類繁多，具有研發(fā)周期長、小批量高成本等特點，要實現完全替代，還需要經過技術和市場的反復考驗。好在國內擁有全部工業(yè)門類，只要條件成熟，終會跨過這個門檻。

12. 中微公司前三季度凈利潤增長95.66%，新簽訂單金額達35.2億元

集微網消息 10月27日，中微公司發(fā)布三季報稱，2021年7-9月，公司實現營業(yè)收入為7.34億元，同比增長47.45%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.45億元，同比下降8.02%。

13. TSIA估今年中國臺灣半導體產業(yè)產值將突破4萬億元新臺幣成長24.7%

27日，臺積電董事長劉德音以臺灣半導體產業(yè)協會（TSIA）理事長身份出席TSIA首度召開的在線年會開幕致詞。

他提到，TSIA統(tǒng)計2020年中國臺灣地區(qū)半導體產業(yè)產值已突破3萬億元新臺幣，今年產值突破4萬億元新臺幣，成長24.7%。2019年底開始的新冠疫情在全球蔓延已快兩年，使得全球半導體供應鏈遭遇很大沖擊，然而中國臺灣半導體產業(yè)仍然創(chuàng)造出制造第一、封測第一、IC設計第二的好成績。

14. ICinsights：傳感器銷量放緩阻礙OSD增幅

據IC insights預計，光電子、傳感器/執(zhí)行器和分立器件 (OSD) 今年的全球銷售額將從 2020 年的 883 億美元增長 18%至 1,043 億美元，在 Covid-19 病毒爆發(fā)期間，這一半導體市場增長不到 3%年，根據 IC Insights的報告預計 ，2022 年 OSD 總銷售額將增長 11%達到 1155 億美元（圖 ）。OSD 產品約占全球半導體總銷售額的 18%，其余 (82%) 來自集成電路。25 年前，不到 13% 的半導體收入來自 OSD 產品。

15. 總投資400億元浙江首條12吋晶圓生產線項目最新進展

資料顯示，杭州富芯半導體有限公司成立于2019年，主要從事高性能模擬芯片的生產制造。

其中項目一期投資金額180億元，建設全球領先的12吋高性能模擬芯片生產線，規(guī)劃產能5萬片/月，達產后將是國內汽車電子、5G通信、云計算、人工智能等領域重要的高性能模擬芯片生產基地。

16. 中芯國際深圳新工廠更多細節(jié)曝光

從公告可以看到，待最終協議簽訂后，項目的新投資額估計為23.5億美元。各方的實際出資額將根據第三方專業(yè)公司對中芯深圳所作評估而定。預期于建議出資完成后， 中芯深圳將由本公司和深圳重投集團分別擁有約55%和不超過23%的權益。中芯國際表示，公司和深圳政府將共同推動其他第三方投資者完成余下出資。

受5G、高性能計算、人工智能、物聯網、汽車電子、3C產品以及家用電器等領域的需求提升，國內的12英寸晶圓代工產能處于供不應求的狀態(tài)，2019年產能缺口約為10.2萬片/月，至2024年產能缺口還將進一步擴大。根據專業(yè)機構預測，2024年中國的芯片設計企業(yè)12英寸流片需求可達到81.5萬片/月，其中，28nm及以上線寬對應流片需求量為69.6萬片/月，12英寸晶圓代工市場需求旺盛。

本項目產品定位于12英寸28nm及以上線寬顯示驅動芯片及電源管理芯片等，產業(yè)類型、建設內容、發(fā)展前景與深圳市坪山區(qū)的定位和規(guī)劃高度契合。項目新建大宗氣站與化學品倉庫等設施，建成后可提供生產所使用的氮氣、氧氣等大宗氣體以及酸堿等化學品，配套月投12英寸晶圓4萬片的生產能力，極大的補足深圳集成電路制造產業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)，促進深圳集成電路產業(yè)的高速發(fā)展。

17. 北方華創(chuàng)前三季凈利潤大增102%，下游需求旺盛，研發(fā)投入“亮眼”

10月28日，北方華創(chuàng)發(fā)布了今年前三季度的業(yè)績報告，報告期內，該公司實現營業(yè)收入61.7億元，同比增長60.95%；同期歸屬于上市公司股東的扣非前和扣非后凈利潤分別為6.58億元和5.25億元，同比分別增長101.57%和200.95%。

其中在第三季度，該公司實現營業(yè)收入25.65億元，同比增長54.65%。實現歸屬于上市公司股東的凈利潤3.48億元，同比增長144.16%。實現基本每股收益0.7068元，同比增長143.39%。

中國產業(yè)經濟信息網財經頻道注意到，2019年和2020年，北方華創(chuàng)的研發(fā)投入金額分別為11.4億元和16.1億元，同期研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例分別為28.03%和26.56%，研發(fā)投入占比較高。

18. 年產40萬片晶盛機電擬打造超30億元6英寸碳化硅襯底晶片項目

10月25日晚間，晶盛機電披露向特定對象發(fā)行股****預案。本次發(fā)行對象為不超過35名符合證監(jiān)會規(guī)定的特定投資者，募集資金總額不超過57億元。在扣除發(fā)行費用后資金擬全部用于以下項目：31.34億元用于碳化硅襯底晶片生產基地項目；5.64億元用于12英寸集成電路大硅片設備測試實驗線項目；4.32億元用于年產80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產制造項目；15.7億元用于補充流動資金。

19. 2020全球MOCVD及外延設備市占率  

20. 2020 to2026各類外延技術設備CAGR預測 

21. 從研發(fā)投入看中國半導體

1）40家芯片設計類公司平均研發(fā)投入比例為19%，其中博通研發(fā)投入比例逼近30%；

 2）設備方面，A應用材料、ASML、泛林、東京電子等的研發(fā)投入比例在10%-16%之間；

 3）IDM公司多為存儲、功率及模擬類公司，平均研發(fā)投入比例12%；其中模擬、功率類公司研發(fā)強度相對較高，在15%上下，三星、海力士等存儲器廠在10%上下；

 4）代工領域，臺積電研發(fā)投入比例8%；

 5）封測和材料平均研發(fā)投入比例均接近4%。

中國大陸30家設計公司平均研發(fā)投入比例約11%，相較美國27%的平均水平有較大差距。研發(fā)差距主要來源于產品結構、業(yè)務規(guī)模的差異。美國頭部設計公司主要聚焦先進邏輯產品，且多為各自細分賽道絕對龍頭，如博通、英偉達研發(fā)投入比例達28%、24%；這也拉高了美國整體的研發(fā)投入水平。國內設計公司大都處于早期階段，業(yè)務規(guī)模相對較小、且多為成熟制程產品，研發(fā)投入比例集中在10%-20%之間。代工：加速研發(fā)投入。臺積電、聯電研發(fā)投入比例在7%-8%之間，大陸中芯國際、華虹半導體2020年研發(fā)投入比例分別為17%、11%，加速發(fā)力工藝研發(fā)。封測：國際領先水平。2020年度，長電科技、通富微電、華天科技研發(fā)投入比例分別為4%、8%、6%，均已接近或超日月光、安靠3%-4%的水平，處于國際領先水平。

22. 中國實現雙碳目標面臨多種挑戰(zhàn)

到2025年，單位國內生產總值能耗比2020年下降13.5%；單位國內生產總值二氧化碳排放比2020年下降18%；非化石能源消費比重達到20%左右；森林覆蓋率達到24.1%，森林蓄積量達到180億立方米，為實現碳達峰、碳中和奠定基礎。

到2030年，單位國內生產總值能耗大幅下降；單位國內生產總值二氧化碳排放比2005年下降65%以上；非化石能源消費比重達到25%左右，風電、太陽能發(fā)電總裝機容量達到12億千瓦以上；森林覆蓋率達到25%左右，森林蓄積量達到190億立方米，二氧化碳排放量達到峰值并實現穩(wěn)中有降。

23. 晶圓代工黑洞凸顯

IC Insights發(fā)布的統(tǒng)計和預測數據顯示，2021年全球晶圓代工廠總銷售額將首次突破1000億美元大關，增至1072億美元，增長23%，與2017年創(chuàng)下的創(chuàng)紀錄增長率相媲美。到2025年將以11.6%的強勁年均增長率增長，屆時代工廠總銷售額預計將達到1512億美元。

24. 臺積電1.8nm工廠曝光2026年量產

護島神山出決勝新武器。臺積電先進制程晶圓廠根留臺灣，其中2納米Fab 20超大型晶圓廠已選定建廠地點為新竹寶山，2納米之后的更先進制程已進入埃米（angstorm）時代，預期臺積電將推進到18埃米（1.8納米），雖然尚未決定設廠地點，但據設備業(yè)者指出，臺積電18埃米先進制程晶圓廠可望落腳臺中，現在中科Fab 15廠旁的高爾夫球場已被納入考慮。

隨著半導體制程將于2024年進入埃米時代，臺積電的建廠動向受到業(yè)界及市場矚目，市場傳出臺積電下一座先進制程晶圓廠可望落腳臺中，現在中科Fab 15廠旁的興農高爾夫球場及軍方用地已納入考慮，臺積電若取得用地，將用于建置2奈米以下先進制程的超大型晶圓廠區(qū)，并分為第一期到第四期建廠計劃，等于會在當地興建4座12吋晶圓廠。

臺積電已確認的先進制程晶圓廠建廠計畫，包括南科Fab 18超大型晶圓廠（GigaFab）將建置P1～P4共4座5納米晶圓廠，P5～P8共4座3納米晶圓廠。其中P1～P3廠已進入量產，P4～P6廠正在興建中，未來將再擴建P7～P8廠。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠將擴建P8廠為特殊制程生產基地。

臺積電Fab 20廠區(qū)將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預計2024年下半年進入量產。臺積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構，技術開發(fā)進度符合預期。

臺積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構，預計2024年下半年進入量產。臺積電2納米之后的先進制程節(jié)點，將推進到1.8納米（18埃米），預計2026～2027年進入量產。