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廠商爭(zhēng)相投資 3D NAND Flash前景不妙？
- 廠商爭(zhēng)相投資，3D NAND Flash前景不妙?據(jù)傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時(shí)3D NAND可能會(huì)從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過(guò)剩的狀況。 BusinessKorea 6日?qǐng)?bào)道，NAND需求爆發(fā)，據(jù)悉三星電子決定平澤廠完工時(shí)間提前三個(gè)月，改在明年三、四月開始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時(shí)三星3D NAND產(chǎn)能將從
- 關(guān)鍵字： 東芝 海力士
長(zhǎng)江存儲(chǔ)拆臺(tái)三星與海力士的存儲(chǔ)帝國(guó)
- 因宣布入股臺(tái)灣多家半導(dǎo)體公司，而鬧得滿城風(fēng)雨的中國(guó)清華紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)，銷聲匿跡一段時(shí)間，現(xiàn)在又重現(xiàn)江湖。 這回，他將掌管整合后的中國(guó)記憶體最新國(guó)家隊(duì)──資本額一八九億人民幣(約八七七億臺(tái)幣)、于七月二十六日宣布成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)。 經(jīng)營(yíng)房地產(chǎn)致富的趙偉國(guó)，過(guò)去接受記者專訪時(shí)，一再?gòu)?qiáng)調(diào)他一系列遍布美國(guó)、臺(tái)灣的半導(dǎo)體業(yè)投資，純粹出于商業(yè)考量，并非中國(guó)政府授意。 然而，“長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)”這個(gè)新身分，代表他已是中國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體政策的主導(dǎo)者之一。 根據(jù)報(bào)導(dǎo)，湖北省
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三星海力士DRAM市場(chǎng)占有率繼續(xù)增長(zhǎng) 營(yíng)收不增反降
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。 盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。 SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來(lái)卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率，從去年第四
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大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖
- 工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。 聯(lián)電接受中國(guó)大陸福建省晉華集成電路委托，開發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù)，引起各界關(guān)注。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長(zhǎng)楊瑞臨認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM似乎已勢(shì)在必行。 楊瑞臨指出，中國(guó)大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
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三星海力士入圍半導(dǎo)體制造商前三甲
- 北京時(shí)間13日 韓聯(lián)社報(bào)道，據(jù)美國(guó)知名半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights13日消息，三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲，而全球十大芯片設(shè)計(jì)公司(Fabless)中沒(méi)有一家韓國(guó)企業(yè)。 在2015年整合元件制造商銷售排名中，三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三，而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩(wěn)居榜首。在芯片設(shè)計(jì)企業(yè)方面，高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一，安華高-博通(57.34, -0
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紫光入股韓國(guó)海力士半導(dǎo)體遭拒
- 北京時(shí)間11月27日下午消息，韓國(guó)芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團(tuán)的合作要約，但并未提供詳細(xì)信息。 最近有媒體報(bào)道稱，紫光集團(tuán)計(jì)劃收購(gòu)海力士最多20%的股權(quán)。但該發(fā)言人拒絕對(duì)此置評(píng)。 紫光集團(tuán)發(fā)言人稱，該公司尚未留意相關(guān)事項(xiàng)。 SK海力士股價(jià)周三和周四累計(jì)大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。 紫光集團(tuán)今年早些時(shí)候斥資230億美元洽購(gòu)美光集團(tuán)，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項(xiàng)交易。
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DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌破2美元 歷史新低
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)已跌破2美元大關(guān)，達(dá)1.96美元，創(chuàng)歷史新低價(jià)。 DRAM市場(chǎng)庫(kù)存問(wèn)題依然嚴(yán)重，DRAM現(xiàn)貨價(jià)如預(yù)期持續(xù)滑落，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查，DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價(jià)。 第4季來(lái)DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 南亞科預(yù)期，DRAM價(jià)格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價(jià)格將較第3季微幅下滑。 只是集邦科技對(duì)DRAM后市看法相對(duì)保守，表示目前市場(chǎng)已
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國(guó)存儲(chǔ)器雙雄掀軍備競(jìng)賽
- 昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，隔天三星即宣布新廠下個(gè)月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場(chǎng)正式進(jìn)入新一輪的軍備競(jìng)賽。 三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過(guò)去幾個(gè)月已進(jìn)行過(guò)試產(chǎn)，年底將全面啟用。 另外，三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建，三星計(jì)畫未來(lái)兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國(guó)史上對(duì)單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來(lái)十年內(nèi)將投
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場(chǎng)憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長(zhǎng)期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過(guò)于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過(guò)剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場(chǎng)憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
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三星大敵當(dāng)前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解
- 南韓記憶體大廠SK 海力士與美國(guó)同業(yè)SanDisk不打不相識(shí)，海力士周三宣布，與美國(guó)同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解，與此同時(shí)，雙方還將擴(kuò)大專利合作，正式成為伙伴關(guān)系。 SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機(jī)密泄漏給海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權(quán)利金，并供應(yīng)DRAM予SanDisk，時(shí)間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開始對(duì)客戶出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢(shì)所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝圖文揭密
- 過(guò)去幾個(gè)月來(lái)，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來(lái)，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 圖1：HBM模組橫截面示意圖 (來(lái)
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝揭密
- 過(guò)去幾個(gè)月來(lái)，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來(lái)，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購(gòu)不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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海力士介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國(guó)的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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